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公开(公告)号：CN108258115B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810217430.7
申请日：2018-03-16
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H10N70/00
摘要： 本发明涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法。本发明的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层的厚度为30～80nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述阻变层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明采用氧化锆作为阻变层，氧化铌选通管作为转换层，制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值，能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成，因此非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN113643741B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
摘要： 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
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公开(公告)号：CN113130744A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
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公开(公告)号：CN108231823B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810217499.X
申请日：2018-03-16
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明涉及一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件及其制造方法。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆隧穿层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明在氧化铌转换层和底电极层之间增加了一层超薄的氧化锆隧穿层，氧化锆隧穿层有效减小了器件的操作电流和操作电压，可显著降低器件的使用功耗，增加高阻态电阻值，提升非线性度，因此，本发明制得的选通器件非线性值高，非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN108598257A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810394883.7
申请日：2018-04-27
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种存储与选通双功能器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为钨。本发明以铌的氧化物为转换层，以TiN或导电玻璃为底电极、金属钨为顶电极，构成了具有存储与选通双功能的器件。实验结果表明，本发明所提供的器件在大限流时具有选通性能，在小限流时具有阻变性能(即存储性能)；同时在选通和阻变性能测试中，循环测试100圈，所得曲线的偏移程度很小，说明其还具有优异的稳定性；在阻变性能测试中，高阻态电阻阻值比上低阻态电阻阻值大于10，说明该器件还具有较大的存储窗口。
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公开(公告)号：CN108400238A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810457611.7
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于GeTe的双功能器件及其制备方法，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。所述顶电极，薄膜介质层，底电极都是通过磁控溅射的方法制备。通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。本发明提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大了提高器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN113113538B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
摘要： 且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗 有提升。串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器
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公开(公告)号：CN113643741A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
摘要： 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
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公开(公告)号：CN108258115A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810217430.7
申请日：2018-03-16
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法。本发明的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层的厚度为30～80nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述阻变层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明采用氧化锆作为阻变层，氧化铌选通管作为转换层，制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值，能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成，因此非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN108231823A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810217499.X
申请日：2018-03-16
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明涉及一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件及其制造方法。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆隧穿层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明在氧化铌转换层和底电极层之间增加了一层超薄的氧化锆隧穿层，氧化锆隧穿层有效减小了器件的操作电流和操作电压，可显著降低器件的使用功耗，增加高阻态电阻值，提升非线性度，因此，本发明制得的选通器件非线性值高，非常具有发展潜力和应用价值。
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