公开(公告)号：CN113176485A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110412508.2

申请日：2021-04-16

申请人： 湘潭大学

发明人： 郭红霞 ,  冯亚辉 ,  潘霄宇 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  张晋新 ,  刘晔 ,  张鸿

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。

公开(公告)号：CN112164418A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202011073590.2

申请日：2020-10-09

申请人： 湘潭大学

发明人： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  周益春 ,  欧阳晓平 ,  张鸿 ,  钟向丽

IPC分类号： G11C29/56

摘要： 本申请公开了一种存储器单粒子效应的测试系统、方法及装置，所述测试系统包括辐照板，其上设置有存储器；测试板，其上设置有FPGA器件，所述FPGA器件与所述存储器电连接，对所述存储器进行数据写入和/或数据读出；发射装置，用于发射重离子微束；控制平台，用于控制所述辐照板相对所述发射装置进行水平和/或上下位移；其中，所述FPGA器件上设置有第一反馈线路和第二反馈线路，分别用于输出不同的单粒子效应反馈信号。本申请实施例通过为不同单粒子效应设置不同的反馈线路和反馈机制，使得被测器件上的单粒子翻转效应区域和单粒子瞬态效应区域能够得到快速识别。

公开(公告)号：CN111812481A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010711526.6

申请日：2020-07-22

申请人： 湘潭大学

发明人： 郭红霞 ,  顾朝桥 ,  潘霄宇 ,  周益春 ,  张凤祁 ,  张文首 ,  柳奕天 ,  琚安安 ,  张鸿 ,  钟向丽 ,  廖敏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 一种累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法，包括：向样品器件施加预设偏置电压；对施加偏置电压后的样品器件进行辐照直至预设剂量点；测量施加辐照后的样品器件的电学特性参数；基于施加辐照前后的所述样品器件的电学特性参数对所述样品器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。本发明提出的评价方法能够便捷有效的对半导体功率器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。

公开(公告)号：CN111554354A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010317961.0

申请日：2020-04-21

申请人： 湘潭大学

发明人： 郭红霞 ,  张鸿 ,  潘霄宇 ,  周益春 ,  张凤祁 ,  张晋新 ,  琚安安 ,  钟向丽 ,  廖敏

IPC分类号： G16C10/00 ,  G16C20/10 ,  G16C60/00

摘要： 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。