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公开(公告)号：CN111814334B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
摘要： 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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公开(公告)号：CN116047250A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211634544.4
申请日：2022-12-19
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提出了一种氮化镓功率器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间的检测方法，其特征在于，包括：在额定电压下，检测待测器件电学性能，获得第一转移特性曲线；在预设偏置电压下，检测所述待测器件的电学性能，获得第二转移特性曲线，所述预设偏置电压中的漏极预设偏置电压大于所述额定电压中的漏极额定电压；在所述预设偏置电压和预设辐照下，检测所述待测器件的电学性能，获得第三转移特性曲线；所述第一转移特性曲线和第二转移特性曲线，确定所述待测器件的无辐照安全电压；本申请基于所述第一转移特性曲线、所述第三转移特性曲线和所述无辐照安全电压，确定所述待测器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间。
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公开(公告)号：CN111554354B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010317961.0
申请日：2020-04-21
申请人： 湘潭大学
摘要： 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN111460751A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010229918.9
申请日：2020-03-27
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G06F30/367 , G01T1/167
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
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公开(公告)号：CN111460655A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN109053173A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811242947.8
申请日：2018-10-24
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种氧化硅陶瓷烧结方法,包括以下步骤：制备氧化硅粉末；对氧化硅粉末进行前处理得到前驱物；将前驱物放入模具中；将模具加压烧结后冷却得到氧化硅固相陶瓷。本发明通过微波辅助冷烧结工艺，在烧结温度低于300℃的情况下，氧化硅陶瓷样品的密度可以超过理论值的85％，电导率与在常规高温下烧结的氧化硅陶瓷的电导率相差无几，而且制备工艺简单方便，能耗低，烧结时间短，安全低污染。
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公开(公告)号：CN111798917B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010619291.8
申请日：2020-06-30
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法，包括：获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果；将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组，一个读周期对应于所述二维数组中的一行；对所述二维数组中的元素从最后一行开始按行遍历排查，删除每一行中相对上一行中重复出现的元素，得到第一数组。通常本申请所述的数据处理方法，可以对存储器单粒子效应动态测试结果中大量重复出现的错误数据进行删减,从而有效缩减测试结果的数据量，以方便对结果数据的后续处理和传输。
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公开(公告)号：CN113010929A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110193428.2
申请日：2021-02-20
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G06F30/10 , G01N21/84 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。
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公开(公告)号：CN117741376A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311499252.9
申请日：2023-11-10
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种单粒子效应敏感性测试的方法，包括：对SiC MOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1/f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到样品器件的内部缺陷密度，基于内部缺陷密度得到单粒子效应敏感性。本发明利用低频噪声分析单粒子效应的敏感性，解决SiC MOSFET单粒子效应辐照试验后电学参数退化不明显以及不准确的问题。
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公开(公告)号：CN113010929B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110193428.2
申请日：2021-02-20
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G06F30/10 , G01N21/84 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。
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