公开(公告)号：CN113948531A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110300855.6

申请日：2021-03-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李建泳 ,  金昶汉 ,  尹盛铉

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L27/11597

摘要： 本申请涉及半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括多个导电层以及分别插置在导电层之间的多个间隙；沟道层，其穿过层叠结构；铁电层，其围绕沟道层的侧壁；以及多个第一介电图案，其分别插置在铁电层和导电层之间。间隙在多个第一介电图案之间延伸。

公开(公告)号：CN113690247A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110011497.7

申请日：2021-01-06

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李在吉 ,  李建泳 ,  刘香根

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L27/11597

摘要： 本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。