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公开(公告)号：CN101258784A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032713.X
申请日：2006-09-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J2237/0206 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台(20)的第一台部分(21)的第一金属表面(21a)被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品(W)放置在第一金属表面21a上。固体介电层(25)设置在第二台部分(22)的第二金属(24)上。物品W的周边部分放置在固体介电层(25)的内部介电部分(26)上。电极(11)在第二台部分(22)的上方的第二移动范围(R2)内产生助走放电(D2)。然后，电极(11)移动到第一台部分(21)的上方的第一移动范围(R1)并产生正常等离子放电(D1)。
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公开(公告)号：CN108601328A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009531.9
申请日：2017-02-27
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: A01G31/00
Abstract: 本发明提供一种使用了海水(W1)的水耕栽培系统(1)，其用于使用海水对耐盐植物进行水耕栽培，该系统包括：供水泵(21)，其从海汲取盐浓度、细菌量以及无用物为一定基准以下的海水(W1)；水槽(30)，其贮存由该供水泵汲取的海水，并且配置栽培的耐盐植物；过滤器(27)，其将从海(S)中取出的海水(W1)中的细菌及无用物除去，其中，由所述过滤器(27)除去了所述细菌及所述无用物的海水(W1)被送入所述水槽(30)。
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公开(公告)号：CN105164316B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201480024102.5
申请日：2014-07-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2027 , C23C24/04 , H01G9/0029 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种半导体膜的制造方法，其特征在于，通过将含有半导体粒子的原料粒子吹附于基材而在所述基材上制成半导体膜，该半导体粒子是使抑制半导体粒子彼此凝聚的凝聚抑制物质附着于表面而成的半导体粒子。
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公开(公告)号：CN106104729A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015418.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种光电转换元件，具有：在一基板的板面上形成有透明导电膜且在所述透明导电膜的表面形成有半导体层的第一电极；在与所述一基板隔开间隔相对配置的另一基板的板面以与所述透明导电膜相对的方式形成有相对导电膜的第二电极；密封在第一电极与第二电极之间的电解质，所述一基板及所述另一基板的至少一方在将所述电解质密封的外周壁部的内侧弯折或弯曲，朝向相对配置的所述另一基板或者所述一基板突出。
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公开(公告)号：CN101258784B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680032713.X
申请日：2006-09-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J2237/0206 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台(20)的第一台部分(21)的第一金属表面(21a)被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品(W)放置在第一金属表面21a上。固体介电层(25)设置在第二台部分(22)的第二金属(24)上。物品W的周边部分放置在固体介电层(25)的内部介电部分(26)上。电极(11)在第二台部分(22)的上方的第二移动范围(R2)内产生助走放电(D2)。然后，电极(11)移动到第一台部分(21)的上方的第一移动范围(R1)并产生正常等离子放电(D1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101816064A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880109735.0
申请日：2008-09-26
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。
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公开(公告)号：CN101617393A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005459.3
申请日：2008-02-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67069 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口41向被处理物10喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口41的处理头39相对于被处理物10在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物10的表面形成的硅。以使在被处理物10的表面上形成的凝结层18的厚度t成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为3～4m/分钟以上。
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公开(公告)号：CN104541350B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201380042342.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种电气模块的制造方法，该电气模块包括：第一电极，其在第一基板的板面形成透明导电膜，并在所述透明导电膜的表面形成半导体层；第二电极，其在第二基板的板面以与所述透明导电膜相对的方式形成相对导电膜；在形成于该第一电极与第二电极之间的空间内密封有电解质，所述电气模块的制造方法的特征在于，该电气模块的制造方法具有：粘贴工序，使所述透明导电膜与所述相对导电膜相对而使所述第一电极与所述第二电极粘贴；分割工序，自形成有所述透明导电膜的所述第一基板的背面或者形成有所述相对导电膜的所述第二基板的背面中的任一者施加超声波振动，使所述第一基板以及所述第二基板的位于被施加该超声波振动的位置的彼此相对的板面抵接而绝缘，并且将该第一基板与第二基板熔接，从而分割所述第一电极与所述第二电极。
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公开(公告)号：CN104508183B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201480001982.4
申请日：2014-01-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C23C24/04 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的制膜方法包括：使用如下凝聚粒子，经过将所述凝聚粒子中包含的所述微粒彼此的结合强化的工序而制作多孔质粒子，将所述多孔质粒子向基材喷吹，使所述基材与所述多孔质粒子接合，并且使所述多孔质粒子彼此接合，由此在所述基材上制造包含所述无机物质的多孔质膜；所述凝聚粒子是在含有原料化合物的溶剂中合成以所述原料化合物为原料的无机物质的微粒、并且使所述微粒凝聚而成的。
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公开(公告)号：CN104428858B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380036748.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种电气模块，其是具有配置在同一面上的多个单元的电气模块，包括第一电极和与所述该第一电极相对配置的第二电极，在这些所述第一电极与所述第二电极之间夹设有电解质地粘贴，并且具备与所述第一电极连接的第一电极端子和与所述第二电极连接的第二电极端子，所述电气模块使用了第一结构与第二结构中的至少一者，该第一结构是通过沿厚度方向贯穿所述第一电极而设置的开口部将连接于所述第二电极的所述第二电极端子向所述第一电极的外部表面侧取出，该第二结构是通过沿厚度方向贯穿所述第二电极而设置的开口部将连接于所述第一电极的所述第一电极端子向所述第二电极的外部表面侧取出。
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