公开(公告)号：CN101821836A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110355.9

申请日：2008-09-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  戴文·M·洛吉 ,  维克拉姆·辛 ,  提摩太·J·米勒 ,  方子韦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32935

Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。