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公开(公告)号：CN114722066B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210291437.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F16/242
Abstract: 本发明涉及赫斯勒材料的输运性质领域，具体涉及一种预测材料自旋霍尔电导及反常霍尔电导的方法。本发明针对自旋电子学应用材料的要求，首次结合数据库和高通量第一性原理计算材料数据训练模型，通过采用全势局域轨道最小基代码杜绝了现有赝势算法精准度低的问题；然后通过对哈密顿量的进行遍历和无用项的删减，以克服哈密顿量矩阵复杂度大量膨胀的问题，在保留基本信息的基础上，最大限度上降低了矩阵复杂性。在保证效率的前提下，又增加了计算结果的准确度。本发明有助于加快自旋电子学材料筛选时间，对材料实验合成有指导意义，可推广至其他功能性材料的筛选过程。
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公开(公告)号：CN112986704A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110207388.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于压电系数测试领域，具体提供一种基于原子力显微镜的纵向压电系数测量方法；通过对原子力显微镜的探针各部分静电力的贡献比例分析、以及探针所受静电力与探针‑样品间隙z0的变化关系分析，设置探针‑样品间隙z0的初始值z00≥1μm、终止值0＜z01≤10nm，使得同一压电材料样品在探针‑样品间隙z00与z01时分别表现为非压电和压电两种状态，并采用两种状态下的lg(|Fes|)‑lg(Vtip)曲线的围合面积S作为纵向压电系数d33的表征参数，最终通过标准压电薄膜样品的标定得到d33‑S曲线，进而实现待测压电薄膜的纵向压电系数的测量。本发明能够在待测压电材料样品表面无需沉淀电极的前提下，利用原子力显微镜探针的非接触模式测量得到待测压电材料样品的纵向压电系数d33，且测量操作简单、测量准确度高。
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公开(公告)号：CN109164400B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810994328.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种基于自旋泵浦‑逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO2基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200以上，薄膜内的微波感应电流被限制在薄膜的长边方向；3个基片彼此互相垂直，且3个基片的公共顶点与原点重合；对于每个SiO2基片，都施加一个与薄膜长边垂直且从0开始增大的直流磁场，此磁场增大到某值a后，再从0开始增大到a，此过程一直循环，通过测量3个SiO2基片上串联的条状薄膜两端的电压得到空间微波磁场在x、y、z方向上的分量hx、hy、hz，本发明可以一次性测量空间微波磁场矢量，并且通过串联的方式增大逆自旋霍尔电压信号，大大提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN110596174A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910831127.0
申请日：2019-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种用于评估高反射率膜损耗稳定性的X射线辐照测试方法。本发明利用X射线的电荷积累效应，模拟高反膜因荷电积累的失效过程：采用的X射线源对高反膜表面进行荷电处理，在累积的处理过程中；同时利用光电子能谱仪原位监测高反膜表面化学态的变化，间断的进行XPS分析，检测高反膜表面的各元素的化学态变化。通过对随机选取的失效组样品和非失效组样品进行统计分析，并引入α和β参数描述O1s峰的对称性，只用到了两个拟合参数，就可以评估辐照荷电老化时的损耗变化，便于工程实际应用，是一种方便、快捷的判别方法。特别适合用于膜层材料工艺实验的快速优化、工艺监控等环节。
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公开(公告)号：CN109682882A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910082966.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/90
CPC classification number: G01N27/90 , G01N27/9033
Abstract: 一种涡流检测传感器，属于无损检测技术领域。涡流检测传感器包括磁芯、绕制在磁芯本体上的激励线圈和磁场传感器，所述磁芯面向被检导体表面所在端形成尖锐凸起并在凸起端开口形成缝隙，磁场传感器设置在所述缝隙与被检导体面平行的平面内。磁场传感器将缝隙处聚集的磁场与被检导体作用形成的磁信号转换为电信号输出。本发明显著减小了磁场作用范围，进而提高了空间分辨率。运用本发明传感器检测缺陷能够清晰反映被检缺陷的轮廓和大小以及精确位置，有利于进一步辨识缺陷，进而评估导体缺陷所带来的影响。并且通过设计不同的磁芯结构来大幅度增加激励线圈的匝数以适当减小激励信号的电流，避免了因激励线圈发热严重而造成的测量误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104876231B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510249584.0
申请日：2015-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B33/20
Abstract: 一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法，属于薄膜材料制备领域。包括以下步骤：1)以硝酸镓、硝酸镧作为前驱物，硅酸四乙酯提供硅源，柠檬酸作为螯合剂，乙醇作为溶剂配制前驱体溶胶；2)将前驱体溶胶涂覆于基片上，放入管式炉内150～200℃热处理60～90min；3)将前驱体溶胶涂覆于上步得到的基片上，放入管式炉内300～400℃热处理60～90min；4)交替进行步骤2)、步骤3)的操作，完成4～20次旋涂和热处理后，将基片放入管式炉内，在1200～1300℃热处理1～5h，冷却，即在基片上得到LGS薄膜。本发明工艺简单，成本低廉，降低了对实验环境的要求，且得到的LGS薄膜表面致密。
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公开(公告)号：CN106872917A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710123217.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明公开了一种测试磁性材料铁磁共振线宽面内分布的方法及系统，涉及磁性材料参数测试技术领域。本发明能够克服现有技术中微波探针尖端在测试磁性材料中形成微波磁场很弱的缺点，本发明通过增强微波探针的尖端在磁性材料中形成的微波磁场，使得矢量网络分析仪获得更强的返回信号，进而能够用于测试更薄的磁性薄膜的铁磁共振线宽；本发明能够通过分析磁性薄膜样品各区域的铁磁共振线宽的差异进一步反映磁性薄膜的均匀性，相比于传统的光学测试方法具有快速、简便的优势。
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公开(公告)号：CN104980117A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510328918.3
申请日：2015-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声表面波器件制造领域，具体涉及一种耐高温的柔性声表面波器件的结构及其制造方法。其结构从下至上依次为：底层保护层、柔性合金衬底、缓冲层、压电薄膜、叉指电极和顶层保护层。柔性合金衬底采用高温柔性合金带材；缓冲层和底层保护层为非晶氧化物薄膜；压电薄膜为氮化铝薄膜；叉指电极材料为金；顶层保护层为氮化铝薄膜。先将柔性合金衬底的预处理，再采用化学溶液浸渍提拉法制备非晶氧化物薄膜，然后制备压电薄膜和叉指电极，最后制备顶层保护层。本发明具有器件结构耐高温，并且拥有良好的柔性特性、质量轻、可工作于复杂的曲面环境和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN104862659A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN101599364A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910059863.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
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