公开(公告)号：CN1777987A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010927.8

申请日：2004-04-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·克雷曼 ,  V·班威尼斯特 ,  M·法瑞德 ,  D·史东

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00

Abstract: 一种于处理期间固定半导体晶片的静电吸盘。静电吸盘包括基底元件、电阻层、介电层(其包括气压分布微沟槽网络)、气体间隙(其位于半导体晶片背面和介电层之间)以及一对高压电极(其位于电阻层和介电层之间)。静电吸盘可以进一步包括至少一接地电极，其位于电阻层和介电层之间，而提供用于气压分布微沟槽网络的屏蔽。静电吸盘的特征在于大于或约为200mW/Kcm2的热传系数、小于或约为1秒的反应时间和小于或约为0.5sccm的气体泄漏。要强调的是提供本摘要乃为了符合法规的要求，其将允许检索人员或其他读者能快速确认技术揭示的主题。本摘要是基于它将不用于解释或限制申请专利的范围和意义的理解下而提出的。