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公开(公告)号：CN100583373C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480014193.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J37/32623 , H01J37/32678 , H01J2237/1508
Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件，其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场，且该离子束导件被供能，以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用，以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子-回旋共振条件。
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公开(公告)号：CN101023506A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031430.9
申请日：2005-07-19
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/3171
Abstract: 一种供离子束注入器使用的透镜结构。该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度延伸，用于偏转进入透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极。透镜结构模式控制器有选择地启动加速或者减速电极，以使进入透镜结构的离子以期望的轨道离开所述透镜结构，而不管离子进入透镜结构的轨道。
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公开(公告)号：CN101777481B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910266872.1
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN101777481A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910266872.1
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN100524685C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480010927.8
申请日：2004-04-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 一种于处理期间固定半导体晶片的静电吸盘。静电吸盘包括基底元件、电阻层、介电层(其包括气压分布微沟槽网络)、气体间隙(其位于半导体晶片背面和介电层之间)以及一对高压电极(其位于电阻层和介电层之间)。静电吸盘可以进一步包括至少一接地电极，其位于电阻层和介电层之间，而提供用于气压分布微沟槽网络的屏蔽。静电吸盘的特征在于大于或约为200mW/Kcm2的热传系数、小于或约为1秒的反应时间和小于或约为0.5sccm的气体泄漏。要强调的是提供本摘要乃为了符合法规的要求，其将允许检索人员或其他读者能快速确认技术揭示的主题。本摘要是基于它将不用于解释或限制申请专利的范围和意义的理解下而提出的。
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公开(公告)号：CN1886817A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034791.4
申请日：2004-09-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·班威尼斯特
IPC: H01J37/30 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3007 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31713
Abstract: 本发明使用一个质量分析器，包括一对永久磁体，以从带状型离子束中的多个种类选择所需的种类。这些永久磁体在一个小区域中提供一适当大小的实质均匀的磁场，其无法利用在一所需方向施加一特定力的电磁体而获得。施加力到带状离子束的通过粒子，并且使粒子的路径根据他们各自的质量而改变。因此，选择的种类可以从射束藉由该力而获得，这个力使被拒绝的种类以及/或是污染物无法通过质量分析器(例如，撞击磁体本身以及/或是在分析器内的其它障壁)。由于质量分析器，可以使用产生多个种类的掺杂剂/种类源，而不是使用仅仅提供单一掺杂剂/种类的来源。
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公开(公告)号：CN100555551C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200480018569.5
申请日：2004-04-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·班威尼斯特
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 本发明可通过在整个离子射束(例如一条带射束的较宽部分)的各种位置处监视射束电流均匀度及入射角，以简化半导体装置制造。在一离子注入系统(例如单晶片式系统及/或多晶片式系统)中可以运用一个或多个均匀度检测器，该均匀度检测器包含多个元件。各元件包含：一孔洞，其可从一入射离子射束选择性地获得一小射束；以及一对传感器，其可测量射束电流，并作为离子射束的进入角度的函数。可通过多对传感器，至少部分地从所测得的射束电流来决定在特定元件处的入射角。因此，可依指示来调整离子射束产生以改善均匀度，并且能够以改良的均匀度以及在更紧密的处理程序的情况下执行离子注入。
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公开(公告)号：CN101189698A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200580049879.8
申请日：2005-05-23
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·班威尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
Abstract: 本发明涉及一种离子束均匀度检测器，包括在平行平面上放置的并以选定的距离分开的多个水平条和多个垂直条。由所述水平和垂直条的交点定义交叉测量点。通过选择性地以及继续地施加脉冲到所述垂直条以及同时偏置所述水平条，可以获得所述交叉测量点的测量值，然后使用该测量值确定在所述交叉测量点处离子束形状和离子束强度。基于这些测量值，可以对连续的离子注入作出调整以便于提高在强度方面的均匀性，同时提供所期望的射束形状。此外，也可以使用多对垂直和水平条来获得表示出在各个交叉点处在二维内的入射角的测量值。
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公开(公告)号：CN101080802A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043440.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147
Abstract: 提供了用于聚焦离子注入器(110)中的被扫描的离子束的系统与方法。一种束聚焦系统(140)被提供，其包含：第一与第二磁体，用以提供对应的磁场，其协同地提供具有时变的聚焦场中心的磁性聚焦场，该聚焦场中心通常对应于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。提供了方法，包含：提供具有聚焦场中心的聚焦场于扫描平面内；以及动态调整该聚焦场，使得聚焦场中心通常符合于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。
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公开(公告)号：CN1809910A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017294.3
申请日：2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3171 , H01J37/3266 , H01J2237/0041
Abstract: 一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器被披露且置于可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统内。所述等离子体发生器包括可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统和可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，其中所述磁场垂直于所述电场。所述等离子体发生器进一步包括可操作以将气体引入由所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源。所述区域中的电子分别由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在所述区域中产生等离子体。
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