公开(公告)号：CN115113674A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210674216.0

申请日：2022-06-15

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 刘培洲 ,  田鸿昌 ,  朱权喆 ,  郑国栋 ,  李阳善 ,  何晓宁

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明提供的一种可控磁场发生装置，包括电流环控制电路以及电压环控制电路，电流环控制电路实现电流转电压功能并配合电压环控制回路进行电压环与电流环的双闭环纯模拟控制，可实现设备输出电流的低时延控制回路，控制时延的降低有利于理论最大输出频率的提高。本发明不需要额外的CPU进行系统的控制，且只需要在传统的电源拓扑上附加电流环控制电路并按照电流控制环路进行控制即可实现设备输出磁场的控制，可提高设备的集成度，提高功率密度。

公开(公告)号：CN114689925B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210605744.0

申请日：2022-05-31

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 温灵生 ,  何晓宁 ,  刘兴

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/14 ,  G01R31/00

摘要： 本发明公开了一种隔离式瞬态短路电流的测试系统及方法，测试系统包括：恒压源、桥式电流信号磁场传感器、高速信号放大器、示波器；所述恒压源为所述桥式电流信号磁场传感器提供恒定电压；所述桥式电流信号磁场传感器包括两个并联的电桥支路，每个电桥支路串联有两个薄膜磁敏电阻，两电桥支路中点的电压差随着磁场变化而线性变化；所述高速信号放大器对两电桥支路中点的电压差进行放大；所述示波器对放大后的两电桥支路中点的电压差进行显示和记忆，并完成相应的采样测量。本发明响应速度快，迟滞很小；与被测电流完全隔离，绝缘强度高；可以测量大电流，通过调整耦合系数η，即可测量不同范围的电流值。

公开(公告)号：CN114497183A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111541941.2

申请日：2021-12-16

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 田鸿昌 ,  袁昊 ,  宋庆文 ,  李阳善 ,  何晓宁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种功率器件的体内单区终端结构及制备方法，该功率器件的体内单区终端结构，包括外延区和单区终端结构，其中，所述外延区的一部分位于有源区中，另一部分位于与所述有源区相邻的终端区中；所述单区终端结构埋设于所述外延区中且位于所述终端区中，所述单区终端结构靠近所述有源区的一端与所述有源区相接触。该终端结构中，将单区终端结构埋设于外延区中，使得终端结构在空间上远离器件表面，不易受到表面钝化层内部电荷的影响，降低了器件界面电荷对终端结构耐压特性的影响，使得功率器件具有更好的抗电荷特性和更好的稳定性。

公开(公告)号：CN114497181A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111541932.3

申请日：2021-12-16

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 田鸿昌 ,  袁昊 ,  宋庆文 ,  朱权喆 ,  何晓宁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种功率器件的体内复合终端结构及制备方法，该复合终端结构包括：第一电极、衬底区、外延区、复合终端结构、氧化层和第二电极，第一电极、衬底区和外延区依次层叠；复合终端结构埋设于外延区中且位于终端区中；复合终端结构包括第一子终端和若干第二子终端，第一子终端靠近有源区的一端与有源区相接触，若干第二子终端间隔分布在第一子终端表层中，且靠近有源区的第二子终端与有源区相接触；氧化层位于外延区上且位于复合终端结构的上方；第二电极位于外延区上且位于有源区中，第二电极与氧化层相邻。该结构中复合终端结构埋设在外延区中，其不易受到表面钝化层内部电荷的影响，降低了器件界面电荷对复合终端结构耐压特性的影响。

公开(公告)号：CN112635550A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011603186.1

申请日：2020-12-30

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 张弦 ,  田鸿昌 ,  何晓宁 ,  陈晓炜

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法，包括形成PN结的至少一个P区和一个N区；在P区和N区的侧面为台面区域，在所述台面区域沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层局部区域上沉积有一层高介电常数材料层，在所述高介电常数材料层和绝缘层上设置有保护层；所述高介电常数材料层覆盖台面处电场峰值区域。本发明的有益效果：首先，可以有效改善台面区的电场分布，降低台面区的电场峰值；其次，引入高介电常数层，可以弥补台面磨角工艺误差引入的不利影响，保证器件的成品率，提升器件可靠性。

公开(公告)号：CN115799302A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211398137.8

申请日：2022-11-09

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 袁昊 ,  李靖域 ,  朱权喆 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  张玉明 ,  何晓宁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种终端区P掺杂宽度变化的SiC超级结终端结构，所述SiC超级结终端结构环绕功率器件的有源区形成所述功率器件的终端区，并与所述有源区共享N+衬底；所述有源区为超级结结构或浮动结结构；所述N+衬底上方设有逐层生长形成的N‑外延区，位于所述终端区的每一层N‑外延层中均通过P‑掺杂注入形成多个同心且掺杂宽度不等的平面P‑环，各层N‑外延层的平面P‑环在所述终端区中形成多个同心、等深且厚度不等的立体P‑环，以通过各个所述立体P‑环引导所述有源区的边缘处聚集的峰值电场逐步下降。本发明提供的终端区P掺杂宽度变化的SiC超级结终端结构优化了有源区边缘处聚集的峰值电场的下降趋势，具有较高的耐压性能。

公开(公告)号：CN114689925A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210605744.0

申请日：2022-05-31

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 温灵生 ,  何晓宁 ,  刘兴

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/14 ,  G01R31/00

摘要： 本发明公开了一种隔离式瞬态短路电流的测试系统及方法，测试系统包括：恒压源、桥式电流信号磁场传感器、高速信号放大器、示波器；所述恒压源为所述桥式电流信号磁场传感器提供恒定电压；所述桥式电流信号磁场传感器包括两个并联的电桥支路，每个电桥支路串联有两个薄膜磁敏电阻，两电桥支路中点的电压差随着磁场变化而线性变化；所述高速信号放大器对两电桥支路中点的电压差进行放大；所述示波器对放大后的两电桥支路中点的电压差进行显示和记忆，并完成相应的采样测量。本发明响应速度快，迟滞很小；与被测电流完全隔离，绝缘强度高；可以测量大电流，通过调整耦合系数η，即可测量不同范围的电流值。

公开(公告)号：CN114497182A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111541933.8

申请日：2021-12-16

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 田鸿昌 ,  袁昊 ,  宋庆文 ,  朱权喆 ,  何晓宁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种基于体内多区终端结构的功率器件及制备方法，功率器件包括：第一电极、衬底区、外延区、若干终端结构、氧化层和第二电极，其中，第一电极、衬底区和外延区依次层叠；若干终端结构间隔埋设于外延区中且位于终端区中，靠近有源区一侧的终端结构与有源区相邻；氧化层位于外延区上且位于若干终端结构的上方；第二电极位于外延区上且位于有源区中，第二电极与氧化层相邻。该功率器件将若干终端结构埋设在外延区中，使得终端结构在空间上远离器件表面，不易受到表面钝化层内部电荷的影响，降低了器件界面电荷对终端结构耐压特性的影响，使得功率器件具有更好的抗电荷特性和更好的稳定性。

公开(公告)号：CN111554748A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010398404.6

申请日：2020-05-12

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 张弦 ,  弓小武 ,  田力 ,  何晓宁 ,  陈晓炜 ,  田鸿昌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/51

摘要： 一种具有低相对介电常数埋层的纵向高压功率半导体器件结构，包括N漂移区、P基区及N+源区，在P基区及N+源区的外围的沟槽内沉积有栅极氧化层，在栅极氧化层上沉积有栅极导电介质层，其特征在于在所述栅极氧化层下面的N+漂移区内增加有绝缘层；所述绝缘层材质为相对介电常数小于栅极氧化层的绝缘材料；所述器件材料为Si、SiC或GaN。通过在沟槽下面增加一定厚度的绝缘层，可以调整栅漏之间的电场分布，从而改变器件内部区域的电场分布，也改善了器件耐压，此时器件内的电场分布不再仅受限于材料的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN111463271A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010271966.4

申请日：2020-04-09

申请人： 陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 弓小武 ,  张弦 ,  田鸿昌 ,  何晓宁 ,  陈晓炜

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

摘要： 一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，包括N漂移区，在N漂移区内设置的P-body区，在P-body区内的表面设置有P+接触层，在P-body区内P+接触层外围设置有N+源区，其特征在于在P+接触层下方的P-body区内设置有收集杂散电流的P+埋层；在P-body区外围的N漂移区表面设置有N+掺杂区；P+埋层的浓度要求比所在区域的P-body掺杂浓度要高1-5个量级；N+掺杂区的浓度应低于P-body区的浓度，且高于N漂移区的浓度。其优点在于可降低导通电阻，增加器件工作安全区。