公开(公告)号：CN220393998U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202322082325.6

申请日：2023-08-03

申请人： 通威微电子有限公司

发明人： 刘曦 ,  徐红立 ,  余明轩 ,  侯磊

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： 本实用新型实施例提供的一种生长碳化硅晶体的坩埚，涉及碳化硅生长设备技术领域。生长碳化硅晶体的坩埚包括筒体、盖体及转接部。筒体用于放置长晶原料，长晶原料能在筒体被加热时升华为长晶气相组分，盖体具有与长晶原料对应的生长腔，转接部呈中空状且具有相对的第一端及第二端，第一端与盖体连接，第二端与筒体连接。在因为长晶工艺需要，调整生长腔的大小时，可以不更换筒体部分，只需更换转接部和盖体即可，能够避免同时更换筒体部分，也能够避免对应筒体部分的长晶设备的调整，从而能够有效的降低成本。

公开(公告)号：CN220224433U

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202321778461.2

申请日：2023-07-07

申请人： 通威微电子有限公司

发明人： 林育仪 ,  刘曦 ,  余明轩

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型提供一种籽晶固定模具，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该籽晶固定模具包括基底固定环、活动定位环和限位调节圈，基底固定环用于套设在坩埚盖周缘，活动定位环活动套设在基底固定环上，并用于贴附在坩埚盖的顶侧边缘，限位调节圈设置在活动定位环上，并具有可调节尺寸的限位孔。相较于现有技术，本实用新型通过设置限位调节圈，利用限位孔与籽晶的装配关系，使得限位调节圈能够抵持在籽晶的边缘，从而实现对籽晶的限位固定，防止籽晶发生位移。并且限位孔与基底固定环同心设置，而基底固定环套设在坩埚盖周缘，因此可以将籽晶固定限位在坩埚盖的中心位置，从而便于坩埚盖的装配和后续SiC的高质量生长。