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公开(公告)号：CN116770441B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310773464.5
申请日：2023-06-28
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种热压装置和籽晶粘接热压方法，涉及碳化硅长晶中的热压技术领域。该热压装置用于在籽晶粘接时对籽晶进行热压，该热压装置包括多个可进行加热的热压头和多个驱动装置。其中，多个驱动装置分别与多个热压头一一对应传动连接。多个热压头由内至外依次嵌套设置，并能够在多个驱动装置的驱动下由内至外依次对籽晶进行热压，以将籽晶粘接时粘接胶层产生的气泡由内至外驱赶排出。多个热压头用于在对籽晶进行热压时，先对籽晶施加压力，然后进行加热。该热压装置和籽晶粘接热压方法能够有效减少籽晶粘接的气泡，提高籽晶的粘接效果，有利于后续工艺中的碳化硅长晶，减少微管产生。
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公开(公告)号：CN116815320A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310779794.5
申请日：2023-06-28
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 刘曦
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括坩埚、籽晶及加热结构，坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖水平设置于坩埚体的顶部，坩埚体的轴线相对于坩埚盖倾斜设置，籽晶设置于坩埚盖的内壁，籽晶的生长面具有生长阶梯，生长阶梯包括多个相对于坩埚盖倾斜设置的倾斜壁，倾斜壁的倾斜方向与坩埚体倾斜方向相同，加热结构设置于坩埚的外侧，用于加热坩埚。本发明提供的碳化硅晶体生长装置及配套的方法能够提升碳化硅晶体的生长速率，同时减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN116770441A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310773464.5
申请日：2023-06-28
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种热压装置和籽晶粘接热压方法，涉及碳化硅长晶中的热压技术领域。该热压装置用于在籽晶粘接时对籽晶进行热压，该热压装置包括多个可进行加热的热压头和多个驱动装置。其中，多个驱动装置分别与多个热压头一一对应传动连接。多个热压头由内至外依次嵌套设置，并能够在多个驱动装置的驱动下由内至外依次对籽晶进行热压，以将籽晶粘接时粘接胶层产生的气泡由内至外驱赶排出。多个热压头用于在对籽晶进行热压时，先对籽晶施加压力，然后进行加热。该热压装置和籽晶粘接热压方法能够有效减少籽晶粘接的气泡，提高籽晶的粘接效果，有利于后续工艺中的碳化硅长晶，减少微管产生。
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公开(公告)号：CN116716655A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310705595.X
申请日：2023-06-14
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置内设置有用于引导气相长晶组分流向籽晶的环形导流板，环形导流板上设置有均压结构，通过在环形导流板上设置该均压结构，可以有效减小环形导流板上方的第二腔室和下方的第一腔室的压差，使两个腔室的压力尽量接近，这样就可以有效降低气相长晶组分在环形导流板顶端和籽晶边缘之间的间隙处的流速，从而使得籽晶边缘的碳化硅晶体的生长速度与籽晶中心的碳化硅晶体的生长速度尽可能相同，进而避免生长在籽晶上的碳化硅晶体出现“凹界面”等缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。本方法制备的碳化硅晶体具有缺陷少，质量高的特点。
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公开(公告)号：CN117089932A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN116752237A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310771141.2
申请日：2023-06-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种籽晶定位方法和晶体生长装置，涉及半导体领域。本申请的籽晶定位方法包括在装载有籽晶的籽晶托下降的过程中，控制驱动件驱动籽晶托转动，并实时获取驱动件向籽晶托输出的转矩；根据驱动件向籽晶托输出的转矩确定籽晶相对于原料熔体的液面的相对位置。在籽晶接触到原料熔体的液面时，由于原料熔体对籽晶的粘滞力，驱动件会向籽晶托输出更大的转矩来平衡粘滞力，以维持籽晶托继续匀速转动。因此，通过获取驱动件向籽晶托输出的转矩，可以判断籽晶是否接触原料熔体的液面。本申请实施例提供的籽晶定位方法灵敏度高，能够准确地确定籽晶相对于原料熔体液面的位置。本申请实施例提供的晶体生长装置能够实现上述的籽晶定位方法。
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公开(公告)号：CN116334749B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310417157.3
申请日：2023-04-18
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 刘曦
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅籽晶粘接装置包括坩埚、籽晶支架、籽晶载具和加热装置，籽晶支架设置在坩埚内；籽晶载具设置在坩埚的顶端，用于与籽晶的表面间隔相对设置，并形成粘接沉积间隙；加热装置设置在坩埚的周缘，其中，籽晶支架与坩埚的内侧壁之间形成有原料容纳腔，原料容纳腔连通至粘接沉积间隙，并容纳有粘接原材料，粘接原材料用于在加热到预设温度后升华，并沉积在粘接沉积间隙中，以使籽晶和籽晶粘接面粘接在一起。相较于现有技术，本发明通过沉积的方式实现籽晶的粘接，粘接均匀性更好，并且沉积方式可以使得粘接效果更好，籽晶的位置可控性更好，有利于提升晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN116497436B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310745496.4
申请日：2023-06-25
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅制备方法及制得的碳化硅晶体，涉及半导体领域。碳化硅制备方法应用于碳化硅晶体生长装置，包括通过进气管路向坩埚内输入第一气体，第一气体包括载气和掺杂气体；通过进气口向加热炉内输入第二气体，第一气体和第二气体由下向上运动。本申请的碳化硅制备方法将通入到生长装置中的气体分成独立的两路，通入坩埚内的第一气体中含有掺杂气体，可以直接参与形成碳化硅晶体，保证掺杂气体浓度的稳定性和均一性。由于两路气体单独控制，使得坩埚内、外的压力差更加可控，通过控制坩埚内外的压力差和进气口、出气口的位置设置，控制长晶气相组分的传输方向和浓度分布，降低晶体缺陷形成概率，有利于提高碳化硅晶体质量。
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公开(公告)号：CN116463728B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310722010.5
申请日：2023-06-19
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法，涉及碳化硅晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、感应线圈及感应发热环，坩埚的顶部设置有籽晶，保温层设置于坩埚的外侧，感应线圈围绕保温层设置，感应发热环设置于保温层内且围绕籽晶设置，感应发热环的内壁与坩埚的外壁间隔设置且被保温层阻隔。该装置及配套的方法通过在坩埚的顶部位置增设感应发热环，可以改变感应线圈通电时坩埚顶部位置的磁场，使得坩埚顶部位置产生的热量减少，温度降低，从而增大坩埚轴向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长速率，同时减小坩埚径向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN116497436A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310745496.4
申请日：2023-06-25
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅制备方法及制得的碳化硅晶体，涉及半导体领域。碳化硅制备方法应用于碳化硅晶体生长装置，包括通过进气管路向坩埚内输入第一气体，第一气体包括载气和掺杂气体；通过进气口向加热炉内输入第二气体，第一气体和第二气体由下向上运动。本申请的碳化硅制备方法将通入到生长装置中的气体分成独立的两路，通入坩埚内的第一气体中含有掺杂气体，可以直接参与形成碳化硅晶体，保证掺杂气体浓度的稳定性和均一性。由于两路气体单独控制，使得坩埚内、外的压力差更加可控，通过控制坩埚内外的压力差和进气口、出气口的位置设置，控制长晶气相组分的传输方向和浓度分布，降低晶体缺陷形成概率，有利于提高碳化硅晶体质量。
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