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公开(公告)号：CN117816047A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410252044.7
申请日：2024-03-06
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料连续合成设备和方法，涉及碳化硅合成技术领域，该设备包括反应炉、加热环、气体控制装置、吊装旋转装置和承载装置，在反应炉内由上至下依次设置进料过渡仓、反应仓和出料过渡仓，在反应仓的周围设置加热环实现反应加热，并通过气体控制装置来控制炉内的气氛类型和气压。在反应炉的顶部设置吊装旋转装置，在反应炉的底部设置承载装置。相较于现有技术，本发明实施例提供的碳化硅粉料连续合成设备，能够实现向反应炉内连续加入坩埚，实现不间断式的粉料合成动作，从而实现了碳化硅粉料的连续合成，大大提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN117205838B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311467103.4
申请日：2023-11-07
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J6/00 , C01B32/956
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料合成装置及碳化硅粉料，涉及碳化硅生产领域，碳化硅粉料合成装置包括支撑架、内坩埚和外坩埚，内坩埚设置于支撑架且能绕自身轴线转动，内坩埚的轴线沿水平方向延伸，内坩埚上开设有第一排杂孔，外坩埚设置于支撑架且罩住内坩埚，外坩埚与内坩埚相对固定且轴线重合，外坩埚上开设有第二排杂孔。通过设置可转动的内坩埚，可以为碳化硅粉料的合成提供温度梯度变化的热场，从而提高合成的碳化硅粉料中可用粒径的碳化硅颗粒的占比，从而提高原料的利用率，降低碳化硅粉料合成的成本。
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公开(公告)号：CN117816047B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410252044.7
申请日：2024-03-06
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料连续合成设备和方法，涉及碳化硅合成技术领域，该设备包括反应炉、加热环、气体控制装置、吊装旋转装置和承载装置，在反应炉内由上至下依次设置进料过渡仓、反应仓和出料过渡仓，在反应仓的周围设置加热环实现反应加热，并通过气体控制装置来控制炉内的气氛类型和气压。在反应炉的顶部设置吊装旋转装置，在反应炉的底部设置承载装置。相较于现有技术，本发明实施例提供的碳化硅粉料连续合成设备，能够实现向反应炉内连续加入坩埚，实现不间断式的粉料合成动作，从而实现了碳化硅粉料的连续合成，大大提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN116716655A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310705595.X
申请日：2023-06-14
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置内设置有用于引导气相长晶组分流向籽晶的环形导流板，环形导流板上设置有均压结构，通过在环形导流板上设置该均压结构，可以有效减小环形导流板上方的第二腔室和下方的第一腔室的压差，使两个腔室的压力尽量接近，这样就可以有效降低气相长晶组分在环形导流板顶端和籽晶边缘之间的间隙处的流速，从而使得籽晶边缘的碳化硅晶体的生长速度与籽晶中心的碳化硅晶体的生长速度尽可能相同，进而避免生长在籽晶上的碳化硅晶体出现“凹界面”等缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。本方法制备的碳化硅晶体具有缺陷少，质量高的特点。
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公开(公告)号：CN116553555A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310826893.4
申请日：2023-07-07
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料，涉及碳化硅粉料制备技术领域，该方法将炉腔升温至第一排杂温度T1，利用PVC颗粒层的一次分解气体将大量杂气得以清除，实现一次排杂，然后再将炉腔升温至第二排杂温度T2，利用持续分解产生的二次分解气体持续带走杂气，实现二次排杂，持续将杂质去除，最后将炉腔升温至第三排杂温度，利用三次分解气体实现三次排杂。相较于现有技术，本发明一方面采用分散装料的方式，减小原料积压，减少碳化挥发现象，实现大公斤粉料的制备，提升产出率。另一方面使得反应坩埚能够实现不同温区的多次换气排杂，大幅提升排杂效果，可以有效提高粉料纯度。
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公开(公告)号：CN117695973B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410166448.4
申请日：2024-02-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J19/08 , C01B32/963 , B01J8/08 , B07B7/01 , B07B7/06
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成装置包括反应坩埚、碳源供给仓、硅源供给仓、反应加热器和收集仓，通过碳源供给仓提供第一混合气流，通过硅源供给仓提供第二混合气流，第一混合气流和第二混合气流均流通至反应区，进而形成混合有碳化硅粉体的第三混合气流，第三混合气流穿过导流孔，分流板能够分选第三混合气流中符合粒径要求的碳化硅粉体，收集仓能够收集分流板上分选出的碳化硅粉体。相较于现有技术，本实施例通过设置分流板和导流孔，能够分选出符合粒径要求的碳化硅粉体，从而保证收集仓内收集的碳化硅颗粒尺寸更加均匀，满足大粒径要求，提高粉料合成反应的产出率，降低粉料成本。
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公开(公告)号：CN117342560A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311657991.6
申请日：2023-12-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： C01B32/956
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成方法和设备，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该方法首先将硅源和碳源依次放入合成坩埚，然后将合成坩埚在真空条件下进行升温脱气提纯，再向合成坩埚内通入稀有气体和纯化气体至0.2MPa，并保持恒正压，加热合成坩埚至2300‑2500℃并保持5‑50h，以使硅源会升华并通过挥发通道进入上部腔室并与碳源反应生成碳化硅粉体，再将冷却后的碳化硅粉体取出进行研磨，最后将研磨后的碳化硅分体进行二次提纯。相较于现有技术，本发明由于将碳源和硅源分开放置，并且硅源在恒正压情况下升华并合成碳化硅，可以有效减少絮状原料，增加高密度结晶颗粒料的占比，从而大幅提升碳化硅粉体的振实密度。
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公开(公告)号：CN117089932A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN117695973A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410166448.4
申请日：2024-02-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J19/08 , C01B32/963 , B01J8/08 , B07B7/01 , B07B7/06
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成装置包括反应坩埚、碳源供给仓、硅源供给仓、反应加热器和收集仓，通过碳源供给仓提供第一混合气流，通过硅源供给仓提供第二混合气流，第一混合气流和第二混合气流均流通至反应区，进而形成混合有碳化硅粉体的第三混合气流，第三混合气流穿过导流孔，分流板能够分选第三混合气流中符合粒径要求的碳化硅粉体，收集仓能够收集分流板上分选出的碳化硅粉体。相较于现有技术，本实施例通过设置分流板和导流孔，能够分选出符合粒径要求的碳化硅粉体，从而保证收集仓内收集的碳化硅颗粒尺寸更加均匀，满足大粒径要求，提高粉料合成反应的产出率，降低粉料成本。
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公开(公告)号：CN117205838A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311467103.4
申请日：2023-11-07
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J6/00 , C01B32/956
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料合成装置及碳化硅粉料，涉及碳化硅生产领域，碳化硅粉料合成装置包括支撑架、内坩埚和外坩埚，内坩埚设置于支撑架且能绕自身轴线转动，内坩埚的轴线沿水平方向延伸，内坩埚上开设有第一排杂孔，外坩埚设置于支撑架且罩住内坩埚，外坩埚与内坩埚相对固定且轴线重合，外坩埚上开设有第二排杂孔。通过设置可转动的内坩埚，可以为碳化硅粉料的合成提供温度梯度变化的热场，从而提高合成的碳化硅粉料中可用粒径的碳化硅颗粒的占比，从而提高原料的利用率，降低碳化硅粉料合成的成本。
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