公开(公告)号：CN119395261A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411539205.7

申请日：2024-10-31

Applicant: 重庆大学 ,  中国科学院武汉岩土力学研究所

Inventor： 朱施杰 ,  施锡林 ,  尉欣星 ,  白炜政 ,  杨昆 ,  黄思 ,  方江渝 ,  黄涯帅 ,  田昊 ,  王晓 ,  付柳鹏 ,  王晨曦 ,  刘小奕 ,  洪扬

IPC: G01N33/24 ,  G01N15/08 ,  G01N13/04 ,  G01N13/00

Abstract: 本发明公开了一种地质储氢水氢岩相互作用模拟方法，包括提供一地质储氢水氢岩相互作用模拟装置。本发明的有益效果是：通过将岩心、氢气和水封闭在反应釜内进行反应，并在反应前后分别测量岩心的扩散系数、渗透率、孔隙度、氢气在长岩心夹持器内的渗流速度、水溶液在长岩心夹持器内的渗流速度及氢气在长岩心夹持器内驱替水溶液的速度，并进行比较，从而，得出水氢岩反应对岩心物性及渗流特性的影响，从而模拟地质储氢过程中水氢岩相互作用对储层物性及渗流特性的影响，为地质储氢技术的进一步发展提供理论指导。

公开(公告)号：CN115148692A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210518584.6

申请日：2022-05-12

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  朱哲研 ,  姚然 ,  于仁泽 ,  赖伟 ,  王晓 ,  刘人宽 ,  余越 ,  周柏灵 ,  陈思宇 ,  段泽宇 ,  何蓓

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构，属于半导体封装技术领域。该结构包括U型栅极顶针，实现压接型SiC MOSFET器件栅极良好的电气连接；还包括垂直换流路径的压接封装结构，具体包括漏极铜板、上钼层、SiC MOSFET芯片、下钼层和源极铜板，用于降低现有焊接封装的分立式SiC MOSFET器件的寄生电感，提升高频工况下SiCMOSFET器件的开关性能。本发明能够降低分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感，从而提升其开关性能；另外，本发明结构具有小体积、可重复利用的优点，降低了压接封装器件成本。

公开(公告)号：CN110133464B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910399482.5

申请日：2019-05-14

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  王晓 ,  姚然 ,  龙海洋 ,  郑媚媚 ,  李金元 ,  赖伟 ,  何蓓

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种基于MMC换流阀应用工况的IGBT器件功率循环测评方法，属于高压直流输电技术领域。该方法包括：首先，基于IGBT和二极管的损耗模型，得到器件的导通损耗和开关损耗，根据IGBT器件热网络模型，提取IGBT器件和二极管的平均结温与结温波动幅值；其次，考虑MMC换流阀运行工况，提出器件故障率计算模型，获取器件故障率及循环次数；最后基于Miner法则与等损伤原则对IGBT器件进行可靠性测评建模，获取不同外加测试条件下IGBT器件可靠性指标的变化规律，形成可靠性测评方案。本发明形成了IGBT器件可靠性测评方法，对准确评估MMC换流阀用IGBT器件可靠性具有重要意义。