公开(公告)号：CN101079429A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610160659.9

申请日：2006-11-29

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 朴容仁 ,  吴载映 ,  韩相哲

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，其能降低用于整个工序的掩模数目，由此降低生产的制造时间和单位成本，该TFT阵列基板包括形成在基板上的栅线、栅极和栅焊盘，其中各栅线、栅极和栅焊盘都由第一金属层和透明导电层的叠层形成；在各栅线之间以分离的图案形成的像素电极；设置有暴露像素电极和栅焊盘的第一和第二开口区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上垂直于栅线形成以限定子像素的数据线；从数据线分支出的源极；以距源极预定间隔形成并与像素电极连接的漏极；形成在数据线端部的数据焊盘；和覆盖数据线、源极和漏极的遮蔽层；以及覆盖栅焊盘和数据焊盘的氧化阻止层。

公开(公告)号：CN1964056A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610087165.2

申请日：2006-06-15

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李锡宇 ,  朴容仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明公开了一种用于LCD器件的阵列基板，包括：包含显示区域和在显示区域外围的非显示区域的基板；非显示区域中的驱动电路；显示区域中的第一TFT；显示区域中的存储电容，其包括第一存储电极、第一存储电极之上的第二存储电极和第二存储电极之上的第三存储电极，其中第一存储电极包括第一半导体层和第一半导体层上的对向电极，第三存储电极包括第一透明电极图案和第一透明电极图案上的第二金属图案；在显示区域中彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；和像素区域中与第一TFT连接的像素电极。

公开(公告)号：CN1773354A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510080178.2

申请日：2005-06-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 朴容仁

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有提高的孔径比的多晶硅液晶显示器件以及简化的制造方法。一种液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；位于像素区中的像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。