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公开(公告)号:CN105359326A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201480038160.3
申请日:2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/056 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/382 , H01M4/405 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,本发明的二次电池电解液具有高温稳定性高且低温下的放电容量高的优点。
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公开(公告)号:CN115368374A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202210534213.7
申请日:2022-05-17
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: C07D493/04 , C07D493/14
Abstract: 本发明涉及一种制备四羧酸二酐的方法,本发明的一个方面提供的制备四羧酸二酐的方法可以通过降低催化剂的使用量来抑制颜色杂质的形成,因此适用于光学,并且在没有单独的提纯工艺的情况下,可以在经济的工艺条件下在相对短的时间内制备高纯度四羧酸二酐,因此是有效的。
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公开(公告)号:CN110998446A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201880049505.3
申请日:2018-07-04
Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地,本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物,其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射,所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上;以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。
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公开(公告)号:CN105359326B
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201480038160.3
申请日:2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,本发明的二次电池电解液具有高温稳定性高且低温下的放电容量高的优点。
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公开(公告)号:CN105440010A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510593730.1
申请日:2015-09-17
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C07D319/12 , C07D321/08 , H01M10/0567
CPC classification number: H01M10/0567 , C07D319/12 , C07D321/08 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种新型化合物、包含其的锂二次电池电解液以及包含本发明的锂二次电池电解液的锂二次电池,本发明的二次电池电解液的高温稳定性、低温放电容量及寿命特性非常优异。
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公开(公告)号:CN105428714A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510590956.6
申请日:2015-09-16
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0525 , C07F5/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/30 , H01M2300/0034 , H01M2300/0037 , C07F5/02
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,具体地,提供一种高温稳定性、低温放电容量及寿命特性非常优异的二次电池电解液,所述二次电池电解液包含锂盐;非水性有机溶剂;以及下述化学式1所示的硼衍生物:所述化学式1中,R1至R4相互独立地为(C1-C10)烷基、(C6-C12)芳基或(C6-C12)芳基(C1-C10)烷基,R1至R2的烷基、芳基及芳烷基可以进一步被选自氰基、羟基、卤素、(C1-C10)烷基及(C6-C12)芳基中的一个以上的取代基取代。
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公开(公告)号:CN105359324A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201480038141.0
申请日:2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/382 , H01M4/405 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/027 , H01M2004/028
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,本发明的二次电池电解液的具有高温稳定性、低温放电容量及寿命特性高的优点。
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公开(公告)号:CN115215873A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210413396.7
申请日:2022-04-20
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: C07D487/10 , C07D471/10 , C08G73/10 , C08L79/08 , C08J5/18
Abstract: 本发明涉及一种新型二氮杂螺环化合物及其用途,本发明的新型二氮杂螺环化合物可以非常有用地用作制备具有优异的光学特性的聚酰亚胺膜的单体。
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公开(公告)号:CN112768747A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202110179039.4
申请日:2016-06-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池。本发明的二次电池用电解质具有优异的高温稳定性、优异的低温放电容量和优异的生命周期特性。
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公开(公告)号:CN112442373A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010827110.0
申请日:2020-08-17
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物,其包含:磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯:[式1] 其中,R1至R3独立地为氢或者取代或未取代的烃基基团,并且R1至R3的至少一个为取代或未取代的烃基基团。
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