公开(公告)号：CN110998446A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880049505.3

申请日：2018-07-04

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK ,  综合化学株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  金喆禹 ,  咸珍守 ,  金仙珠 ,  朴明俊 ,  李濫揆 ,  李慧秀

IPC: G03F7/09 ,  C08G12/26

Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。

公开(公告)号：CN111225934A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880049559.X

申请日：2018-07-02

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK ,  综合化学株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  李濫揆 ,  咸珍守 ,  李建杓 ,  李光国 ,  李光浩 ,  李惠玲 ,  黄秀英

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法，更具体地，本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性，因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。

公开(公告)号：CN110998446B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880049505.3

申请日：2018-07-04

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开致新株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  金喆禹 ,  咸珍守 ,  金仙珠 ,  朴明俊 ,  李濫揆 ,  李慧秀

IPC: G03F7/09 ,  C08G12/26

Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。