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公开(公告)号：CN1238840C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03147266.4
申请日：2003-07-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/74 , G11B2005/0005 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
摘要： 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。
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公开(公告)号：CN1695182A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03825181.7
申请日：2003-03-19
申请人： 富士通株式会社
摘要： 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。
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公开(公告)号：CN1674105A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/7325 , G11B5/656
摘要： 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN1614691A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410085871.4
申请日：2004-11-03
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/851 , Y10T428/259
摘要： 公开一种磁性记录介质，它包括基片和包括颗粒的含SiO2磁性层，所述磁性层在所述颗粒之间具有SiO2。这种介质是在含气体的沉积室中在真空下溅涂沉积得到的，所述气体基本不含氧。在所述气体中不故意加入氧以形成含氧气体混合物的气体，但是可含有痕量的氧分子，其氧含量与在与沉积室相同真空下空气中的含氧量相同。
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公开(公告)号：CN1607578A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410063898.3
申请日：2004-07-14
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 戴维·T.·玛格里斯 , 安德莱斯·莫瑟 , 哈尔·J.·罗森 , 詹-尤尔利奇·蒂尔
CPC分类号： G11B5/012 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/001 , G11B2005/0016 , G11B2005/0021
摘要： 一种磁记录盘驱动器，具有感应写入磁头和加热器，用于在记录磁盘上的叠层介质中记录数据。该叠层介质具有被非磁性隔离层分隔的至少两层铁磁性层，由此SNR得以改善。每个铁磁性层可以由具有能够被传统的感应写入磁头进行写入的内禀矫顽力的材料形成，但是由于为了提高SNR的期望的叠层，距写入磁头最远的铁磁性层受到的磁场小于其内禀矫顽力，因此不能进行写入。为了对叠层介质进行写入，将热量引导至下铁磁性层，使其内禀矫顽力降低至其受到的磁场之下。
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公开(公告)号：CN1604200A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410082466.7
申请日：2004-09-22
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/732 , H01F10/26 , H01F10/324 , Y10T428/12465 , Y10T428/12861
摘要： 本发明披露了一种包括RuAl/NiAlB双晶种层的用于磁性薄膜记录介质的薄膜结构。RuAl/NiAlB结构的应用使得晶粒大小降低，Mrt取向比(OR)增加，SNR提高，和在较高振幅下有较低的PW50。RuAl和NiAlB晶种层的每层都具有B2结晶结构。可以利用RuAl/NiAlB双晶种层来获得(200)择优面心取向的底层，及获得(11－20)择优面心取向的钴合金磁性膜。
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公开(公告)号：CN1196115C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN01130278.X
申请日：2001-12-29
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金在永
CPC分类号： G11B5/64 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/12861 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/28
摘要： 本发明提供了一种正交磁记录磁盘。该正交磁记录磁盘包括一个位于一个基片和一个正交磁记录层之间的底层，用于引导所述正交磁记录层的正交定向，该正交磁记录层的厚度在这样一个范围内，即其中正交矫顽力Hc与最大正交矫顽力Ho之间的比率随正交磁记录层的厚度的减小而减小。
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公开(公告)号：CN1558399A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410039537.5
申请日：2004-02-05
申请人： 日立麦克赛尔株式会社
摘要： 本发明涉及磁记录介质及其制造方法及磁记录装置。本发明提供一种具有更优异的磁特性并且介质噪声低的垂直磁记录方式的磁记录介质及其制造方法以及磁记录装置。一种垂直磁记录方式的磁记录介质，包括由非磁性材料形成的基板，由软磁性材料形成、并形成在该基板上的软磁性衬里层，形成在该软磁性衬里层上的底层，及由以含有氧化物的CoPtCr为主体的合金磁性材料形成的、并形成在该底层上的记录层，其特征在于，记录层由氧化物含有率不同的2个以上磁性层构成，构成该记录层的2个以上磁性层当中，设置在最靠近该底层一侧的磁性层的氧化物含有率是该记录层内最高的。
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公开(公告)号：CN1155022C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98800162.4
申请日：1998-02-25
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01F1/11
CPC分类号： G11B5/656 , C04B35/2641 , C04B35/2683 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/6303 , C04B35/632 , C04B2235/32 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , G11B5/70678 , H01F1/11 , H01F1/113 , H02K1/02
摘要： 本发明的目的在于通过实现其饱和磁化强度和磁各向异性均高的六方铁氧体，来提供一种具有已有技术的六方铁氧体磁体无法实现的高剩磁和高矫顽力的铁氧体磁体；提供具有高剩磁和高矫顽力的铁氧体磁体，其矫顽力的温度相关性明显改善而且即使在低温范围内矫顽力的降低也很小；提供具有高剩磁和高矫顽力的铁氧体磁体，其使用颗粒直径超过1μm的相对粗的铁氧体颗粒；提供具有高剩磁和热稳定性好的磁记录介质。为了实现这些目的，采用如下材料构成铁氧体颗粒、烧结磁体、粘结磁体和磁记录介质，即包括具有六方结构的铁氧体主相的氧化物磁性材料，并且其组成包含A、R、Fe和M，其中，A是选自Sr、Ba、Ca和Pb中的至少一种元素，A中必须包含锶，R是选自Bi和包括Y的稀土元素中的至少一种元素，R中必须包含La，M是Co或者Co和Zn，全部各个元素相对于全体金属元素的含量的比例是：A：1～13原子%，R：0.05～10原子%，Fe：80～95原子%，M：0.1～5原子%。
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公开(公告)号：CN1149542C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN99801959.3
申请日：1999-10-20
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明是一种利用在非磁性基体的表面上淀积了与在磁记录媒体上进行记录用的信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而准备的主信息载体，强磁性薄膜是在信息信号的磁道长度方向上的矫顽力为40KA/m以下的软磁性薄膜或半硬磁性薄膜，而且在信息信号的磁道长度方向上的强磁性薄膜的剩磁比磁记录媒体的矫顽力大。由此，可得到在磁记录性能方面良好的主信息载体。
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