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公开(公告)号：CN104517616A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410033817.9
申请日：2014-01-24
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明的课题是形成良好的微细图案。因而提供了一种图案形成方法，包含以下工序：使用表面处理高分子材料在基板上形成表面处理高分子膜的工序；将含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液施用在该表面处理高分子膜表面上的工序；在表面处理高分子膜上，涂布含有具有至少2种聚合物链的嵌段共聚物的涂布液，而形成自组装层的工序；通过退火，由此在自组装层内形成微观相分离结构的工序；以及选择性地将微观相分离结构中的1种聚合物层除去，由残存的聚合物层形成凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN102483929A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039843.2
申请日：2010-08-13
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： G11B5/012
摘要： 揭示一种改良的图案化磁性位元数据储存媒体及其制造方法。在一特定例示性实施例中，所述改良的图案化磁性位元数据储存媒体可包括：主动区域，其展现实质上铁磁性；以及非主动区域，其展现实质上顺磁性，所述非主动区域包括至少两个晶粒以及一插入于其间的晶界，其中所述至少两个晶粒中的每一者含有铁磁材料，且其中所述至少两个晶粒经反铁磁耦合。
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公开(公告)号：CN101055428B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710096787.6
申请日：2007-04-12
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 托马斯·R·阿尔布雷克特 , 兹沃尼米尔·班迪克 , 迈克尔·J·鲁克斯
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J37/3174 , H01J2237/20228 , H01J2237/30438 , H01J2237/30455 , H01J2237/31764
摘要： 本发明提供一种操作笛卡尔型电子束即e束光刻(EBL)设备的方法，其能够有效且精确地在工件的宽面积上写入闭合曲线图案例如圆。曲线图案覆盖EBL设备的x-y定位台的多个邻接域，并且所述台沿着所述邻接域定义的路径移动。与第一和倒数第二域关联的对准标记形成在样品上。对准标记用于调整最后域的形状从而当e束在最后域中扫描时在倒数第二域和第一域之间存在图案的基本连续的连接。本发明尤其可应用于制造用于纳米压印图案化磁记录盘的具有同心圆形道的母盘。
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公开(公告)号：CN101471086B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810190666.2
申请日：2008-12-26
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 托马斯·R·奥尔布雷克特 , 曼弗雷德·E·沙贝斯
摘要： 本发明提供一种具有交换桥结构的图案化磁记录介质及其形成方法。该图案化磁记录介质包括：垂直磁记录层，被图案化成多个离散的磁性的岛；以及磁材料的交换桥结构，连接所述垂直磁记录层的岛。用磁材料连接岛提高了岛之间的交换耦合，这使岛更加磁稳定。
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公开(公告)号：CN101996646A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260920.9
申请日：2010-08-23
申请人： 西部数据技术公司
CPC分类号： G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/7325 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B2005/0021
摘要： 本发明涉及具有热沉的能量辅助的离散磁道介质。本发明公开了一种离散磁道垂直磁记录(PMR)盘和制造该盘的方法。所述PMR盘可包括布置在衬底上方的热沉层、布置在热沉层上方的中间层和布置在中间层上方的磁记录层。磁记录层可具有凸起区和凹进区，其中热导材料可以布置在一个或更多凹进区中。
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公开(公告)号：CN101960518A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106506.8
申请日：2009-02-16
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 本发明提供能够效率良好地可靠地除去磁记录介质的表面的异物、不会残留残存于该磁记录介质的表面的掩模层、磁性层的图案形成的生产率高的磁记录介质的制造方法。这样的磁记录介质的制造方法，具有：在非磁性基板上至少形成磁性层的工序；在磁性层上形成掩模层的工序；对掩模层进行图案化而形成掩模图案的工序；使用掩模图案在磁性层上形成磁记录图案的工序；采用研磨材料对掩模图案的表面进行抛光的工序；和除去掩模图案的工序。
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公开(公告)号：CN101221768B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710162123.5
申请日：2007-12-18
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y10/00 , G11B5/66 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B9/14 , G11B9/1472 , G11B2005/0021
摘要： 本发明涉及包括光活性介质的数据存储装置以及电场辅助记录方法。该装置包括数据存储介质，该介质包括磁记录元件和靠近磁记录元件定位的光活性材料；电场源，用于将电场施加到数据存储介质的一部分；电磁辐射源，用于照射数据存储介质；以及磁场源，用于将磁场施加到数据存储介质的该部分。
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公开(公告)号：CN101919000A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880117710.5
申请日：2008-11-20
申请人： 法国原子能及替代能源委员会 , 国家科学研究中心
摘要： 本发明涉及一种磁性记录介质(100)。本发明特别适用于存储在硬盘上的数据的领域。介质(100)包括布置在衬底(102)上的磁性区域的集合，每个磁性区域至少包括第一磁性层(C’1)和第二磁性层(C’2)，其由非磁性层(NM’)彼此隔开。而且，所述第一磁性层(C’1)具有与所述衬底(102)的平面基本上平行定向的磁化；所述第二磁性层(C’2)具有与所述衬底(102)的平面基本上垂直定向的磁化。
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公开(公告)号：CN101241710B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810003551.8
申请日：2008-01-18
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
摘要： 本申请涉及垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器。提供一种由于交换弹性效果而具有改进的写性能并能稳定制造的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，包括非磁性基底；粘结层；软磁底层；籽晶层；中间层；至少包括垂直记录层、写协助层以及设置在垂直记录层和写协助层之间的磁耦合层的磁记录层；保护层以及润滑层，其中，磁耦合层的饱和磁化强度低于写协助层的饱和磁化强度，磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m(300emu/cc)或更低，以及磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。
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