一种锆合金真空非自耗熔炼方法

    公开(公告)号:CN103014383A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201110299658.3

    申请日:2011-09-28

    Abstract: 本发明涉及一种锆合金真空非自耗熔炼方法,依次包括:一、称取核级海绵锆,以及待添加的其它元素;二、将核级海绵锆及待添加的其它元素,按照各元素的熔点高低顺序进行布料,熔点低的合金元素靠近底部,熔点高的元素靠近顶部;三、抽真空至小于等于10-3Pa,充入Ar进行3~5次洗气;四、抽真空至小于等于10-3Pa,充Ar至0.02~0.04MPa;五、进行熔炼,温度为1800℃~3000℃。待添加的其它元素包括锡、铌、铁、铬、钒、和/或钼。本发明建立了合理的锆合金真空非自耗熔炼方法,获得的铸锭成分在设计值5%偏差以内,且具有良好均匀性,为实验室研究不同锆合金成分,对锆合金物理、力学、腐蚀等性能提供保障。

    一种铋黄铜合金材料及其制备工艺和热冲压工艺

    公开(公告)号:CN102952966A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210441337.7

    申请日:2012-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种铋黄铜合金材料,由锌、铋、钛、硒和铜构成,按质量百分比计,锌占35.0﹪~45.0﹪,铋占0.4﹪~1.5﹪,钛占0.3﹪~0.9﹪,硒占0.05﹪~0.5﹪,余量为铜。本发明还公开了上述铋黄铜合金材料的制备工艺和热冲压工艺。本发明公开的铋黄铜所含合金元素少,制备方法简单,制备的铋黄铜的力学性能、切削性能和热加工性能良好;采用热冲压的工艺将铸件直接冲压成各种型号的管接头,提高了管接头的致密性,并简化了工艺、提高了生产效率,降低了生产成本。

    锆钇合金靶件的制备方法
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101629276B

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200910060257.5

    申请日:2009-08-05

    Abstract: 本发明属于材料制造技术领域,提供了一种锆钇合金靶件的制备方法。本发明的制备方法是通过真空感应熔炼,在熔炼过程充氩抑制挥发,加热炉保温浇注成型制成锆钇合金锭,再通过包覆热轧、淬火热处理、去应力退火热处理得到锆钇合金靶件。本发明的制备方法制备的锆钇合金靶件金属钇质量含量为5%~20%,钇均匀性偏差在±1%以内,密度大于98%TD(理论密度),晶粒度在5级以上,可用于电弧离子镀和反应磁控溅射制备氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,满足电弧离子镀和反应磁控溅射制备优良氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)涂层对靶件的技术要求。

    铅硼聚乙烯板的层压工艺
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1272156C

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN02153840.9

    申请日:2002-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种放射性屏蔽材料板的层压工艺,具体为铅硼聚乙烯板的层压工艺。主要工艺为:准备适量的合格铅硼聚乙烯原料薄板,预热保温后装上粘合模具送入单层热压机加压加热进行排气和粘合,然后利用精整模具进行降温精整,冷却到室温后切割即制成铅硼聚乙烯厚板。通过本发明的层压工艺制成的铅硼聚乙烯厚板,化学成分均匀,力学性能达到使用要求,表面光亮平整,无压痕、折叠、层离和划伤,内部无裂纹或气泡,可作为反应堆的屏蔽材料。

    真空连续晶化炉
    36.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2161624Y

    公开(公告)日:1994-04-13

    申请号:CN93218911.3

    申请日:1993-07-20

    Abstract: 本实用新型公开一种真空连续晶化炉,用于晶化处理快淬后的钕铁硼磁粉。它包括炉体,与炉体连接的真空机组,与炉体和真空机组连接的供水冷却装置,炉体两端的上、下侧分别设有加料斗和贮料筒,炉体内设有屏蔽式内加热炉和循环传送带输料装置,磁粉由传送带输入加热炉加热晶化,经两次预冷再迅速冷却到室温出料,利用微机控制炉温,真空度和传送带速度,可连续生产,能耗低,结构简单紧凑,操作维修方便。

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