公开(公告)号：CN116564802A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310639707.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  伊艾伦 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/18

Abstract: 本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。

公开(公告)号：CN111834205B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202010644757.X

申请日：2020-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正浩

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/34 ,  H01L21/425 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种异质半导体薄膜的制备方法，包括：获取具有第一抛光面的半导体单晶晶片；获取具有第二抛光面的异质衬底；在半导体单晶晶片的第一抛光面上沉积一层缓冲层后构成第一复合结构；向半导体单晶晶片注入阻挡层离子后形成阻挡层；退火处理；沿半导体单晶晶片的沟道向半导体单晶晶片注入H离子，H离子的原子序数小于阻挡层离子的原子序数、注入能量大于阻挡层离子的注入能量；去除缓冲层；将半导体单晶晶片与异质衬底进行键合，得到第二复合结构；退火处理，得到异质半导体薄膜。本发明通过注入阻挡层离子在半导体单晶晶片内形成阻挡层以俘获H离子，如此，减少了离子剥离所造成的损伤，从而大大提高了H离子的利用率和薄膜的质量。

公开(公告)号：CN111312852B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201911174467.7

申请日：2019-11-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正皓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。