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公开(公告)号：CN106205684A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610486617.8
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C2013/0042
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电压生成电路，产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流，并将电流信号转化为电压信号；以及，将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵敏放大器。本发明同时获取读电流及读参考电流，读参考电流的瞬态值处于读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流之间。本发明在读参考电流中引入对位线寄生参数和读传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且信号传递速度快、适用范围广、寄生参数匹配方法简单。
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公开(公告)号：CN103794244B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410054763.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法，包括：地址寄存器逐位接收外部地址；当（LSB+A）位接收到地址时，预读2M+A位数据并锁存；当LSB位接收到地址时，从2M+A位预读数据中译码出2M位目标数据并锁存，同时输出地址自增信号；地址后移，若（LSB+A）位寄存器发生翻转，则读取下一组数据，反之，所述相变存储器内部不进行读取操作；输出数据，并输出下一个地址自增信号。本发明通过提前一个或者若干个时钟周期预先将可能需要进行读取操作的地址的数据全部读出，然后再通过对真实地址译码将对应目标地址的数据输出，可以增加相变存储器内部实际读取时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率，进而提高芯片的最终性能。
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公开(公告)号：CN104282332A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310290019.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。
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公开(公告)号：CN101976578B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201010501678.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN102982841A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210549545.9
申请日：2012-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101916590A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010258113.3
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。
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公开(公告)号：CN118782120A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310396391.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种存储器编程方法和装置，该方法包括：对每个待编程的寻址单元进行预编程得到一个编程值，编程值为电导值或电阻值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值不在对应的目标区间的范围内，则利用逐级迭代的第一电脉冲进行补偿编程，更新当前的编程值，其中，目标区间根据各待编程的寻址单元待编程到的电阻值、电导值或目标态中的一种确定，当前的编程值包括通过预编程得到的编程值，或，通过逐级迭代更新的编程值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值在对应的目标区间的范围内，或，确定逐级迭代的次数达到预设上限，则完成编程。能够提高存储器编程的速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN113539327B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110779019.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00 , G06F16/903
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法，装置包括相变存储阵列和外围控制电路，相变存储阵列包括两个相变存储逻辑算子；相变存储逻辑算子包括两个相变存储单元，两个相变存储单元的一端均与同一位线相连，另一端与各自的选通管的漏端相连，选通管的源端接地，相变存储逻辑算子中的一个相变存储单元的选通管的栅极与第一字线相连，另一个相变存储单元的选通管的栅极与第二字线相连；外围控制电路将初始数据信息写入相变存储阵列中，选通管根据第一字线和第二字线上的信号选通相变存储单元，使得相变存储单元中存储的信息与位线上的脉冲信号进行逻辑运算。本发明能够减少数据匹配计算量，实现高效的数据检索。
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公开(公告)号：CN113315506B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110494507.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置，其中电路包括相变存储单元和选通器件，所述相变存储单元的第一端与第一输入电极相连，第二端与所述选通器件的漏端相连，所述选通器件的源端与第二输入电极相连，栅端与控制端相连；通过控制所述第一输入电极、第二输入电极、控制端的输入信号以及所述相变存储单元的初始状态实现逻辑运算操作。本发明能够在单个相变存储单元中实现多种逻辑计算。
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公开(公告)号：CN112350728B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202011178033.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2i‑2C，i≥2；所述开关阵列包括预比较开关，电容开关阵列和电压比较器参考电压开关；所述预比较开关在所述逻辑控制模块的控制下实现在采样阶段对输入电压信号的预比较；所述电容开关阵列在所述逻辑控制模块的控制下按照逐次逼近的逻辑实现采样、保持与电荷重分配的过程；所述电压比较器参考电压开关在所述逻辑控制模块的控制下实现所述电压比较器参考电压的选择。本发明还涉及上述模数转换器的工作方法。本发明可以减少电容阵列。
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