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公开(公告)号：CN103290411A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310247608.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米材料转移沉积方法，包括如下步骤：将纳米材料与溶液混合形成悬浮液，加热混合悬浮液，纳米材料被蒸发的溶液分子带离液体，附着到放置于混合悬浮液液面上方的衬底表面，形成由纳米材料层层堆叠的薄膜。本发明通过控制沉积时间、悬浮液中纳米材料浓度、衬底与样品的距离、加热温度，可以制备不同厚度的纳米材料薄膜。
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公开(公告)号：CN102358938A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110197552.2
申请日：2011-07-14
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，该方法以钨薄膜作为源材料，金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括(a)催化剂薄膜定域合成：即陶瓷模板和衬底材料固定在一起或使用微加工工艺中的曝光技术实现薄膜的图案化，然后在真空镀膜设备中实现催化剂纳米粒子膜的定域生长；(b)化学气相沉积技术：在反应气体的气氛下，在400-800℃的温度将W薄膜放入CVD设备中，经过1～8小时的生长后，打开固定装置或去除光刻胶后，最终形成图案化的氧化钨纳米线阵列。本制备方法不仅可以容易获得不同生长密度的图案化氧化钨纳米线阵列，而且具有反应温度低(＜500℃)，可适合于低熔点衬底生长的优点。
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公开(公告)号：CN101638781A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910038947.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 中山大学
IPC: C23F1/02
Abstract: 本发明公开了一种在阵列式排列的微腔结构中直接加热金属膜生长氧化物纳米线的方法及其应用，每个微腔内都可生长出方向垂直或接近垂直衬底表面又不接触腔壁的氧化物纳米线。该方法是先依次在衬底上制备多层过渡层、金属膜和保护层，然后通过光刻方法选择性地暴露出金属膜表面，最后将该表面放置在含有氧气的气氛下加热，实现其氧化物纳米线的生长。该方法过程简单，容易实现，不需要催化剂，可避免由催化剂带来的污染。该结构有利于在纳米线顶端及其所在衬底分别施加电接触或电场，从而实现对每个微腔进行选择性电控制，因此可用于制作真空微纳电子源阵列等器件。本发明列举了在微腔结构阵列中生长出氧化铜纳米线，并进行相关特性测试的实施案例。
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公开(公告)号：CN100403574C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410026739.6
申请日：2004-04-05
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件由ITO导电玻璃电极(1)、有机材料空穴传输层(2)、无机材料薄层(3)、有机材料发光层(4)、无机材料薄层(5)、有机材料电子传输层(6)、金属背电极(7)构成。本发明在有机发光层和载流子传输层之中或之间采用无机材料薄层能显著阻挡过剩载流子，或加速少数载流子传输，控制激子迁移，实现发光区域中的载流子复合平衡，提高激子利用效率，从而提高器件的发光效率。同时，通过控制无机材料薄层的厚度和位置可调控器件中的电场分布、载流子分布、激子分布以及发光颜色、区域。另外，无机材料薄层与有机材料形成良好、可控的界面，可提高器件操作的稳定性和寿命。
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公开(公告)号：CN101214989A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710032889.1
申请日：2007-12-28
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种制备氧化锌纳米结构的方法，其特征在于工艺步骤如下：(A)在沉积有种子层的衬底上涂敷一层光敏胶，然后利用光刻工艺在光敏胶上形成微孔；(B)将完成步骤(A)后的衬底置于生长溶液中，进行纳米结构的生长。利用该工艺方法，可成功地实现了多种氧化锌纳米结构的制作。与现有技术相比，本工艺方法具有工艺步骤简单可控的特点，制备出来的氧化锌纳米结构位置可控、直立有序、形貌均一，非常有利于器件的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101126730A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710026326.1
申请日：2007-01-10
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种气敏传感元件的电极部件，包括基片和在该基片上形成的加热电极和气敏信号电极，加热电极和气敏信号电极位于基片的同一端面，加热电极和气敏信号电极之间不接触。该部件可应用于气敏传感元件上，制作成本低且制造效率高，且部件表面温度均匀性及加热效率高，从而可提高气敏传感元件性能。本发明同时还公开了该电极部件的制造方法及使用该电极部件的气敏传感元件。
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公开(公告)号：CN101092249A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710027736.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其方法为：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。本发明的目的在于，提供一种制备工艺简单、产率高、成本低、适合于大面积制备MoO3纳米结构及其薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101011742A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710026834.X
申请日：2007-02-08
Applicant: 中山大学
IPC: B22F9/04
Abstract: 本发明公开了一种可控制备金属纳米颗粒的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：a.利用镀膜技术在表面平整的衬底表面沉积一层厚度均匀的金属薄膜；b.将表面沉积好金属薄膜的衬底进行热处理，在惰性气体气氛下升温；c.关闭惰性气体，通入氢气继续加热，使金属薄膜熔化成分散的小液滴；d.关闭氢气、停止加热，通入惰性气体降温至室温。本发明纳米颗粒的直径随着薄膜厚度的增加而增加，通过控制镀在衬底上的薄膜厚度就可以调节最后所得到的纳米颗粒的直径，生产工艺简单，成本低，且能够适应于大面积制备金属纳米颗粒，对制备大面积一维纳米材料具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN1664978A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510033714.3
申请日：2005-03-24
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供一种工艺简单，性能优良，具有多层结构的场发射显示器，其结构包括阴极基板，栅极基板和阳极基板，各基板之间使用固体绝缘材料保持相互绝缘并分别加有工作电压，此三层基板以预定间隔固定彼此相对位置并真空封装，所述阴极基板上设置有作为电子发射源的阴极，所述栅极基板上开有限定电子通道的栅极孔，并在与对应栅极孔的位置处安设栅极电极，所述阳极基板上覆有导电层和荧光粉层。本发明简化了工艺的复杂程度并且降低工艺成本，同时，在其多层结构的基础上，可以方便地制作聚焦极，有效地聚焦阴极电子源发射的电子束，消除像素点之间的串扰。
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公开(公告)号：CN1564638A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410026739.6
申请日：2004-04-05
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件由ITO导电玻璃电极(1)、有机材料空穴传输层(2)、无机材料薄层(3)、有机材料发光层(4)、无机材料薄层(5)、有机材料电子传输层(6)、金属背电极(7)构成。本发明在有机发光层和载流子传输层之中或之间采用无机材料薄层能显著阻挡过剩载流子，或加速少数载流子传输，控制激子迁移，实现发光区域中的载流子复合平衡，提高激子利用效率，从而提高器件的发光效率。同时，通过控制无机材料薄层的厚度和位置可调控器件中的电场分布、载流子分布、激子分布以及发光颜色、区域。另外，无机材料薄层与有机材料形成良好、可控的界面，可提高器件操作的稳定性和寿命。
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