公开(公告)号：CN1463017A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02158829.5

申请日：2002-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 教学正文 ,  水野祐信 ,  浜元康弘 ,  宫崎和也

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J1/316

Abstract: 为了在实现电子发射效率高且特性一致的电子发射元件的同时，抑制使用同一元件的电子源、图象显示装置的显示的不均匀，以显示均匀良好画质的图象，本发明提出具有以下特征的电子发射元件，以及使用同一元件的电子源、图象显示装置，即，在基体1表面上具有隔开配置的电极2、3，以及配置在它们之间、与电极3连接的碳膜4’，在该碳膜4’和电极2之间配置间隙5，在间隙5中与电极3连接的碳膜4’的表面和电极2的表面的间隔，从基体1的表面开始向上方变窄。

公开(公告)号：CN1448977A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03106605.4

申请日：2003-02-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水野祐信 ,  岩城孝志 ,  武田俊彦 ,  铃木朝岳 ,  宫崎和也 ,  糠信恒树

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10－4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10－9sec≤τ≤10sec)。

公开(公告)号：CN1195874A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97120856.5

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  河出一佐哲 ,  宫崎和也

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/46 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: C03C21/002 ,  C03C17/06 ,  H01J1/316

Abstract: 含钠玻璃基片,具有改性表面,其上将要形成导电薄膜。改性表面由一层钠浓度小于玻璃基片本体的钠浓度的层构成,该层的钠含量与所有金属元素的比例不大于2%原子百分比。与玻璃基片的主体相比,改性表面上硫含量更低。