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公开(公告)号:CN104917980A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510103714.X
申请日:2015-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素,像素包括:光电转换部;电荷保持部,积聚从光电转换部转移的信号电荷;以及浮置扩散区,电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区,其中,光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区,电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区,并且第三半导体区与第四半导体区之间的p-n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p-n结深。
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公开(公告)号:CN102576719B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201080044599.9
申请日:2010-10-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 固态图像拾取装置包括光电转换部分、被配置为包含第一导电类型的第一半导体区域的电荷保持部分和被配置为包含控制电荷保持部分和感测节点之间的电势的传送栅电极的传送部分。电荷保持部分包含控制电极。第二导电类型的第二半导体区域被设置在控制电极和传送栅电极之间的半导体区域的表面上,第一导电类型的第三半导体区域被设置在第二半导体区域之下。第三半导体区域被设置在比第一半导体区域深的位置处。
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公开(公告)号:CN104241305A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410263602.6
申请日:2014-06-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14806 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备,其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法,可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。
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公开(公告)号:CN104124255A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410169731.9
申请日:2014-04-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/23212 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。
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公开(公告)号:CN102630343A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201080054061.6
申请日:2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14683
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域(110)被设置在PD基板(101)的前侧。n型半导体区域(119)在PD基板(101)的背侧被设置在p型半导体区域(110)下面。n型半导体区域(119)包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域(110)和n型半导体区域(119)。
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公开(公告)号:CN102576718A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080044598.4
申请日:2010-10-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609
Abstract: 光电转换部、电荷保持部、传送部和感测节点被形成在P型阱中。电荷保持部被配置为在与光电转换部不同的部分中包括作为保持电荷的第一半导体区的N型半导体区。具有比P型阱更高的浓度的P型半导体区被布置在N型半导体区之下。
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公开(公告)号:CN101981697A
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200980111714.7
申请日:2009-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 一种固态成像装置在各像素中包括载流子保持部分(205)和放大部分(208),其中,当用于从载流子保持部分(205)向放大部分(208)传送载流子的传送部分被置于非导通状态时向传送电极(204)供给的第一电压的极性与在传送部分的接通时段期间向传送电极供给的电压的极性相反,并且,在载流子保持部分中保留载流子的保持时段期间向载流子保持部分的控制电极(206)供给的第二电压具有与第一电压相同的极性并且其绝对值比第一电压的大。
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公开(公告)号:CN101888491A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN201010173423.5
申请日:2010-05-07
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本申请提供固态成像设备。该固态成像设备包括多个像素和按照时间序列把来自像素的模拟图像信号转换成包括高位位和低位位的数字信号的A/D转换器。A/D转换器包括保持数字信号的高位位的第一保持单元,保持数字信号的低位位的第二保持单元,保持来自第一保持单元的数字信号的第三保持单元,和保持来自第二保持单元的数字信号的第四保持单元。包括第一和第三保持单元的第一对以及包括第二和第四保持单元的第二对沿着二维阵列的像素的列方向布置。
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公开(公告)号:CN108695349B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201810274644.8
申请日:2018-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 小林昌弘
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有层压层的半导体装置和设备。一种半导体装置,包括:半导体基板,其中设有多个半导体元件;第一半导体层,被重叠在半导体基板上并且其中设有多个光电转换元件;第二半导体层,被布置在半导体基板与第一半导体层之间;第一配线结构,被布置在第一半导体层与第二半导体层之间;第二配线结构,被布置在第二半导体层与半导体基板之间;以及第三配线结构,被布置在第二配线结构与半导体基板之间,多个贯通电极的宽度彼此不同。
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公开(公告)号:CN111326534A
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201911299416.7
申请日:2019-12-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括:多个像素,各像素包括光电转换部、电荷保持部、浮动扩散部以及布置在共同的活性区域中的第一和第二晶体管。活性区域包括部分区域,该部分区域包括沿第一方向延伸的第一区域、连接到第一区域并且沿第二方向延伸的第二区域以及连接到第二区域并且沿第三方向延伸的第三区域。在平面图中,第一像素的部分区域布置在第一像素的第一晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间,并且布置在第一像素的第二晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间。在与部分区域重叠的区域中布置遮光构件。
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