公开(公告)号：CN205595336U

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201620356265.X

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 李晓平 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  李立

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 本实用新型提供一种逆导型IGBT背面结构。本实用新型通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN203562430U

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201320678868.8

申请日：2013-10-30

申请人： 国家电网公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国网智能电网研究院

发明人： 刘江 ,  包海龙 ,  张宇 ,  刘隽 ,  车家杰 ,  赵哿 ,  高明超 ,  金锐

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；本实用新型中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本实用新型在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。