公开(公告)号：CN105869996A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610262594.2

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 钮应喜 ,  杨霏 ,  温家良 ,  潘艳 ,  王嘉铭 ,  李永平 ,  田亮 ,  吴昊 ,  李玲 ,  查祎英 ,  郑柳 ,  夏经华 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  张文婷 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634

摘要： 本发明提供一种碳化硅外延生长系统及其生长方法。本发明提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本发明提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN106783984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN107305909A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610262790.X

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 李晓平 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  李立

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN106783984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN205845906U

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201620356478.2

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 钮应喜 ,  杨霏 ,  温家良 ,  潘艳 ,  王嘉铭 ,  李永平 ,  田亮 ,  吴昊 ,  李玲 ,  查祎英 ,  郑柳 ,  夏经华 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  张文婷 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本实用新型提供一种碳化硅外延生长系统。本实用新型提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本实用新型提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN205595336U

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201620356265.X

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 李晓平 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  李立

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 本实用新型提供一种逆导型IGBT背面结构。本实用新型通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN107305886B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201610262592.3

申请日：2016-04-25

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。

公开(公告)号：CN106546895B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201610893731.2

申请日：2016-10-13

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  江苏同芯电气科技有限公司

发明人： 王鹏 ,  李金元 ,  潘艳 ,  温家良 ,  周细文 ,  谈浩楠 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，所述测试电路包括充电单元、RC谐振单元、整流单元和被测二极管；RC谐振单元包括串联的电容组和电感组，充电单元包括串联的电源和充电开关；RC谐振单元、整流单元和被测二极管分别并联；充电单元与电容组并联；所述方法包括：闭合充电开关，电源向电容组充电：当电容组的电压达到其预置值后断开充电开关；控制RC谐振单元向被测二极管输出浪涌电流；控制整流单元对浪涌电流整流进行浪涌测试；当浪涌测试完成后闭合反压测试开关进行耐压测试。与现有技术相比，本发明提供的一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，能够向被测二极管持续输出正向浪涌电流，以测试被测二极管的重复浪涌性能。

公开(公告)号：CN106483441B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201610843020.4

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  华北电力大学

发明人： 邓二平 ,  张朋 ,  赵志斌 ,  温家良 ,  黄永章

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据耦合热应力后的有限元模型，仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布；测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比，本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。

公开(公告)号：CN108133891A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201611086000.3

申请日：2016-12-01

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 朱涛 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  崔磊 ,  徐哲 ,  和峰 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N-漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽型IGBT及其制备方法，浮置P区的空穴可以复合掉部分沟槽型IGBT导通过程中的电子，降低沟槽型IGBT的饱和电流，改善沟槽型IGBT的短路特性，改善沟槽下方电场分布，减小沟槽下方电场的集中，从而增强其电压耐受能力。