公开(公告)号：CN107572474B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710725952.3

申请日：2017-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范继 ,  伍文杰 ,  涂良成 ,  刘金全 ,  邱文瑞

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构及封装方法，包括：硅基底、限位装置、第一封装环、上盖帽以及第二封装环，限位装置的高度大于第一封装环和第二封装环的高度之和；限位装置和第一封装环设置在硅基底上，第二封装环设置在上盖帽上，第一封装环与第二封装环的位置相对应；限位装置与上盖帽制备封装环的一面接触，第一封装环上承载有流动性的封装焊料，以使第一封装环与第二封装环在流动性的封装焊料的作用下进行键合封装；限位装置的熔点高于焊料以及焊料与第一封装环、第二封装环所形成的合金的熔点，以使第一封装环与第二封装环进行键合封装时，限位装置保持固态，固定封装间距。本发明通过限位装置实现封装间距的高精度控制。

公开(公告)号：CN108151735A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711295820.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  涂良成 ,  宋萧萧 ,  渠自强 ,  伍文杰

IPC: G01C21/16

Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。

公开(公告)号：CN107857231A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710997592.2

申请日：2017-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范继 ,  涂良成 ,  伍文杰 ,  刘金全 ,  徐小超 ,  刘骅锋

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00015

Abstract: 本发明公开一种微机电加速度计及其制备方法，包括：检验质量、正摆弹簧与倒摆弹簧；检验质量与正摆弹簧和倒摆弹簧相连接，正摆弹簧和倒摆弹簧分布在所述检验质量的两侧，检验质量在正摆弹簧和倒摆弹簧的约束下受外界力的作用而运动，检验质量的质心位置或者检验质量所受的等效重力加速度可以用于对微机电加速度计的本征频率进行调节；检验质量上制备有密绕导电线圈，当密绕导电线圈通电流时，在垂直与密绕导电线圈方向的磁场的作用下，检验质量的等效质心位置或者所受的等效重力加速度发生变化。本发明利用电磁力进行检验质量的等效质心或者等效重力加速度调节，克服了微机电加速度计由于检验质量过小，而引起的调节力度不够的缺点。

公开(公告)号：CN103896206B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201410141817.0

申请日：2014-04-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 涂良成 ,  刘金全 ,  范继 ,  伍文杰 ,  罗俊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。

公开(公告)号：CN103950887A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410140457.2

申请日：2014-04-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 涂良成 ,  伍文杰 ,  范继 ,  刘金全 ,  罗俊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。

公开(公告)号：CN307579529S

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202230410417.0

申请日：2022-06-30

Applicant: 华中科技大学

Designer： 伍文杰 ,  张健 ,  高乐 ,  涂良成

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：重力仪（MEMS）。
2.本外观设计产品的用途：测量地球的重力变化。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。