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公开(公告)号：CN112216765B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202011157059.3
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的射频信号探测器及其制备方法，包括自下而上依次放置的衬底、掺杂层和二氧化硅层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极，以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极；超表面光学天线层为宽度为5～100mm的金属阵列，对入射的射频S波段、C波段或X波段的电磁信号具有极强的局域表面等离激元效应，用于探测射频S波段、C波段或X波段的信号；金属阵列为平面结构或立体结构，由周期性排列的微米基元构成；微米基元为微米结构，体积小，能够在极短时间内产生极强的响应信号，可以以较小的体积实现响应速度较快的射频波段信号的探测。
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公开(公告)号：CN112259633A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011157075.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外射频信号探测器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、掺杂层和二氧化硅层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极，以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极；超表面光学天线层是由多个彼此间隔的金属层组成的阵列结构，金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层为宽度为0.5～5mm具有周期性纳尖结构的金属纳尖阵列，第二金属层为宽度为5～100mm的金属阵列，由周期性排列的微米基元构成；超表面光学天线层对入射的红外、射频S、C或X波段的信号具有局域表面等离激元效应，能够以较小的体积完成响应速度较快的信号探测。
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公开(公告)号：CN104298029B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410579907.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微柱镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微柱镜阵列；电控液晶红外发散平面微柱镜阵列包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的长方孔对的一层匀质导电膜构成。本发明能实现微长方光孔阵图形化光场的电控成形与调变，易与其它红外光学光电结构、电子和机械装置等匹配耦合，环境适应性好。
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公开(公告)号：CN104345508B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410618045.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的轴心重合；在圆环形导电膜为多个时，所有圆环形导电膜的径向宽度相等，相邻导电膜的径向间距相等。该芯片激光波束整形变动范围大，适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号：CN104298026B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410577290.6
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶平面微透镜的波前控制芯片。芯片包括面阵电控液晶平面微透镜，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由m×n元阵列分布的子电极构成，每个子电极均由绕圆周呈十字叉型均匀分布的四个条状导电膜构成，单个子电极内的各条状导电膜互不接触。本发明能实现波前的受控调变、凝固、检录、搜索或跟踪以及复杂波前的构建，易与其它光学光电结构以及电子和机械装置耦合，环境适应性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105929472A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610540905.7
申请日：2016-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B5/09
CPC classification number: G02B5/09
Abstract: 本发明公开了一种空心角锥反射镜及其制造方法。所述空心角锥反射镜包括反射镜片以及连接边，所述反射镜片包括第一镜片、第二镜片以及第三镜片，所述连接边包括第一镜片连接第二镜片的第一连接边，第一镜片连接第三镜片的第二连接边以及第二镜片连接第三镜片的第三连接边；所述连接边上固定有一个至多个辅助镜片。本发明利用辅助镜片连接固定空心角锥反射镜的镜片，由此解决现有技术中空心角锥反射镜的角精度低，机械强度差的技术问题。
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公开(公告)号：CN104241414B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410456538.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的毫米波单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性，具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于毫米波的一个特定波段。
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公开(公告)号：CN104218116B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410454835.4
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于远红外的一个特定波段。
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公开(公告)号：CN103950887B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410140457.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
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公开(公告)号：CN103512668B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310419820.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红外图像与波前双模一体化成像探测芯片，包括：陶瓷外壳、金属支撑与散热板、驱控与预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜，驱控与预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜同轴顺序设置于陶瓷外壳内，陶瓷外壳后部设置于金属支撑与散热板顶部，驱控与预处理模块设置于陶瓷外壳后部与金属支撑与散热板连接处，面阵非制冷红外探测器设置于驱控与预处理模块顶部，面阵红外折射微透镜设置于面阵非制冷红外探测器顶部，并通过陶瓷外壳面部开孔其光入射面裸露出来，面阵红外折射微透镜包括M×N个单元微透镜。本发明结构紧凑，使用方便，易与常规红外光学系统兼容或耦合，目标和环境适应性好。
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