-
公开(公告)号：CN113075791A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110304771.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法，属于信息技术中的太赫兹器件领域。该器件由纯硅基一维交错光栅和静电驱动梳齿组成。当交错光栅的相对位置发生改变，器件对太赫兹波的透射率和反射率会发生显著变化，因此可以通过控制交错光栅的相对位移变化来实现对太赫兹波的幅度调制。本发明采用SOI硅片，利用MEMS加工技术中的深硅刻蚀工艺将静电驱动模块制作在器件层，衬底层制作一维交错光栅作为太赫兹波调制模块。电容梳齿与交错光栅各自的可动部分通过埋氧层连接组成质量块，经由弹簧与外框架连接，两者的其余部分则分别固定在外框架上。该器件仅由硅材料制备，且采用成熟的MEMS加工工艺，成本低廉、适用于批量生产。
-
公开(公告)号：CN107505662B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710871470.9
申请日：2017-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/00
Abstract: 本发明提供了一种三轴MEMS重力仪，包括：敏感探头、位移传感结构，位移检测电路，腔体和水平调节基座；敏感探头包括：两个第一振子单元、一个第二振子单元和支撑结构，第一振子单元的敏感轴与第二振子单元的敏感轴相互正交；第一振子单元包括：正摆结构、倒摆结构、第一检验质量和第一外框，第一检验质量通过正摆结构和倒摆结构与第一外框相连，第一外框与腔体固联；第二振子单元包括：负刚度弹簧、正刚度弹簧、第二检验质量和第二外框，第二检验质量通过正刚度弹簧和负刚度弹簧与第二外框相连，第二外框与腔体固联；位移传感结构设置在第一检验质量和第二检验质量的表面；位移检测电路用于检测位移传感结构的位移信号；水平调节基座用于调节腔体的水平。
-
公开(公告)号：CN103896206A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410141817.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。
-
公开(公告)号：CN119470972A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411625824.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本申请属于惯性传感器技术领域，具体公开了一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法。通过本申请，在拾取电极背部正对位置形成镂空区域，降低拾取电极与上盖硅衬底之间的正对面积降低寄生电容。此外，在拾取电极之间设置接地极板，屏蔽了激励电极与上盖板硅衬底之间的相对运动，进一步降低了激励电极与硅衬底之间寄生电容的影响。通过薄膜支撑结构，结合等离子体干法刻蚀，在MEMS加速度计拾取电极背部形成镂空区域，该制备方法工艺简单，适用于各种电容式MEMS加速度计或重力仪中，具有较好的兼容性和实用性。
-
公开(公告)号：CN115016019A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210623975.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种基于双路错位阵列电容位移传感的闭环MEMS重力仪探头及重力仪，属于仪器仪表领域。探头包括：电容位移传感模块、电容检测电路模块、PID控制模块及反馈执行机模块，且这几个模块构成磁闭环回路。电容位移传感模块包括两路并行且错位m/4个极板周期的动极板阵列，其中，m为正整数，当其中一路动极板阵列与定极板阵列构成的位移传感器处于非敏感区间时，另一路动极板阵列与定极板阵列构成的位移传感器正好处于敏感区间并用于检测振子位移。本发明的探头可有效避免现有单路阵列极板输出由于质量块下垂量不可控导致的位移检测失效的问题，提升了检测灵敏度，且采用闭环工作模式，提高探头响应时间，具有更强的抗干扰能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904550B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110132723.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B26/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法，属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括：第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧；所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行，键合构成双层光栅；所述线圈置于第二亚波长光栅上，所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连；所述线圈通电时，在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移，位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅，无其他复杂结构，具有易于设计、低成本、操作简单等特点，而且普适性强，无频率依赖性，具有很好的可扩展性，能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。
-
公开(公告)号：CN111811385B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010594023.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于位移测量领域，公开了一种基于双调制法的双轴电容位移检测装置和方法。包括定极板；动极板；第一驱动电压模块，产生用于调制水平位移变化的正负驱动载波，加载于定极板上；第二驱动电压模块，产生用于调制间距变化方向的单路驱动载波，加载于定极板上，以频分复用方式与第一驱动电压模块一起工作；电荷放大器，与动极板相连，用于将水平位移及间距变化引起的差分电容信号转化为电压；第一同步解调模块和第二同步解调模块，用于对电压信号进行解调，分别得到含有水平位移变化和间距变化的直流信号。本发明同时实现了水平和竖直方向电容位移检测，相对于单轴电容位移检测，可检测非敏感轴方向的电容变化量，提高电容位移检测精度。
-
公开(公告)号：CN107857231B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710997592.2
申请日：2017-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种微机电加速度计及其制备方法，包括：检验质量、正摆弹簧与倒摆弹簧；检验质量与正摆弹簧和倒摆弹簧相连接，正摆弹簧和倒摆弹簧分布在所述检验质量的两侧，检验质量在正摆弹簧和倒摆弹簧的约束下受外界力的作用而运动，检验质量的质心位置或者检验质量所受的等效重力加速度可以用于对微机电加速度计的本征频率进行调节；检验质量上制备有密绕导电线圈，当密绕导电线圈通电流时，在垂直与密绕导电线圈方向的磁场的作用下，检验质量的等效质心位置或者所受的等效重力加速度发生变化。本发明利用电磁力进行检验质量的等效质心或者等效重力加速度调节，克服了微机电加速度计由于检验质量过小，而引起的调节力度不够的缺点。
-
公开(公告)号：CN109036910A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810871365.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种微机械万向开关的制造方法，微机械万向开关包括：器件层、衬底和封帽，器件层和衬底在SOI圆片上加工而成，SOI圆片自上而下分别包括厚硅层、二氧化硅绝缘层和薄硅层；制造方法包括：在厚硅层的上表面通过电镀工艺制作一层金属，作为动电极；在厚硅层中通过深硅刻蚀工艺制作所述质量块和螺旋形弹簧梁；在薄硅层中通过深硅刻蚀工艺刻蚀多个释放孔，并将形成的镂空结构作为衬底；对二氧化硅绝缘层通过氢氟酸刻蚀工艺加工，释放质量块和螺旋形弹簧梁，使其形成可动结构；在封帽层上表面加工出不同高的固定电极；将加工好的SOI圆片与封帽层对准进行热压键合封装。本发明制造方法得到的微机械开关在轴向0～90度范围内实现万向触发。
-
公开(公告)号：CN116009102A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211685904.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高集成度MEMS相对重力仪，集成有重力敏感单元、温度传感单元、加热电阻、面外倾斜传感单元、面内倾斜传感单元、气压传感单元和振动传感单元；温度传感单元感知MEMS相对重力仪的温度变化；加热电阻对重力敏感单元进行加热，实现对重力敏感单元的温度控制；面外倾斜传感单元敏感重力敏感单元面外倾斜大小；面内倾斜传感单元敏感重力敏感单元面内倾斜大小；气压传感单元感知气压变化，辅助气压控制或实现气压效应扣除；振动传感单元感知环境振动，并辅助隔振或实现振动信号扣除。本发明利用微加工精度实现重力敏感单元与倾斜传感单元的敏感方向精确控制，有利于减小额外装夹部件、降低方向控制难度、提高控制精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.021 seconds)
