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公开(公告)号：CN116963587A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210374731.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种铁电薄膜电容以及铁电薄膜电容的制备方法，本申请提供的铁电存储电容的结构，包括：第一金属电极；第二金属电极；铁电层，所述铁电层设置于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间；其中，所述铁电层的材料为锆掺杂二氧化铪材料，所述锆掺杂二氧化铪材料中掺杂有氮元素，该铁电薄膜电容通过在锆掺杂二氧化铪铁电层中原位注入氮元素，可以钝化薄膜沉积过程中受高温影响产生的氧空位；此外，在铁电薄膜电容使用过程中，可以于铁电层内部通过填补氧空位的方式减少电缺陷，从而改善由于氧空位累积导致的铁电薄膜印记效应和击穿现象，提高铁电薄膜电容的性能以及使用寿命。
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公开(公告)号：CN115372308A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110531902.8
申请日：2021-05-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本申请公开一种基于太赫兹波段的气体传感器，可以应用于气体检测。该基于太赫兹波段的气体传感器包括单排排布的第一分布式布拉格反射器、金属层和第二分布式布拉格反射器，金属层位于所述第一分布式布拉格反射器与第二分布式布拉格反射器之间；第一分布式布拉格反射器和第二分布式布拉格反射器具有不同的中心频率；第一分布式布拉格反射器具有多个沿第一方向交替分布的第一实体区和第一空格区；第二分布式布拉格反射器具有多个沿第一方向交替分布的第二实体区和第二空格区；第一实体区和第二实体区的折射率大于待测气体的折射率；金属层分别与第一实体区和第一个第二实体区接触形成界面。该基于太赫兹波段的气体传感器可以对多种气体进行检测。
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公开(公告)号：CN106570472B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610950691.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种肤色检测方法、装置及终端，其中方法包括：获取进行肤色检测的视频的当前帧图片；对该当前帧图片进行人脸识别，以确定该当前帧图片的肤色查找表；根据该当前帧图片的肤色查找表和该当前帧图片之前的历史帧图片累计的肤色查找表，确定出目标肤色查找表；利用该目标肤色查找表对该当前帧图片进行肤色检测。通过本发明实施例在对视频进行肤色检测时，可以有效保证肤色检测结果的连续性。
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公开(公告)号：CN110267199A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910566774.3
申请日：2014-08-20
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种数据处理方法和终端设备，涉及电子领域，能够使得用户不受终端设备干扰，包括：获取所述终端设备的速率(101)；接收第一通信服务(102)；若所述终端设备的速率超过第一预设值，则关闭所述第一通信服务的预设提醒(103)；若所述终端设备的速率降低至第二预设值，则开启所述第一通信服务的预设提醒(104)；其中，所述第二预设值小于或等于所述第一预设值。本发明提供的数据处理方法和终端设备用于车载模式的终端设备的用户提醒。
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公开(公告)号：CN105531985B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201480041094.5
申请日：2014-08-20
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种数据处理方法和终端设备，涉及电子领域，能够使得用户不受终端设备干扰，包括：获取所述终端设备的速率(101)；接收第一通信服务(102)；若所述终端设备的速率超过第一预设值，则关闭所述第一通信服务的预设提醒(103)；若所述终端设备的速率降低至第二预设值，则开启所述第一通信服务的预设提醒(104)；其中，所述第二预设值小于或等于所述第一预设值。本发明提供的数据处理方法和终端设备用于车载模式的终端设备的用户提醒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531985A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480041094.5
申请日：2014-08-20
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种数据处理方法和终端设备，涉及电子领域，能够使得用户不受终端设备干扰，包括：获取所述终端设备的速率(101)；接收第一通信服务(102)；若所述终端设备的速率超过第一预设值，则关闭所述第一通信服务的预设提醒(103)；若所述终端设备的速率降低至第二预设值，则开启所述第一通信服务的预设提醒(104)；其中，所述第二预设值小于或等于所述第一预设值。本发明提供的数据处理方法和终端设备用于车载模式的终端设备的用户提醒。
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公开(公告)号：CN118430604A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310128600.5
申请日：2023-01-31
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种存储阵列、存储装置及电子设备，涉及存储技术领域。该存储阵列包括阵列排布的多个存储单元和多个位线；其中，每一存储单元中包括：沿列方向上分布的第一N型晶体管和第一P型晶体管；位于同一列的每一存储单元中的第一N型晶体管的源极或漏极和第一P型晶体管的源极或漏极，均与同一位线电连接；在同一列的至少部分相邻两个存储单元中，两个第一N型晶体管相邻设置或两个第一P型晶体管相邻设置。通过设置相邻的两个晶体管的类型相同，可以减少有源区的切换次数，从而能够降低两个晶体管之间的间距(即减小过渡空间)，进而降低存储单元的面积，提升存储密度。
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公开(公告)号：CN117636936A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210987381.1
申请日：2022-08-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种铁电存储器和终端，涉及存储技术领域，可提高读取阶段读取信号的强度和读取效率，减小铁电存储器的面积。该铁电存储器包括位线、第i板线、多路选通器、比较器、以及多个铁电存储单元。多个铁电存储单元的每组铁电存储阵列包括m列阵列排布的铁电存储单元，铁电存储单元包括一个铁电电容和一个第一晶体管。在任意一行，第m*n+i列铁电存储单元的铁电电容与第i板线电连接；在读取阶段，第i板线中的每根板线分时向铁电存储单元输入高电平。m为大于或等于2的整数，n为大于或等于0的整数，i为小于或等于m的正整数。每列铁电存储单元与一根位线电连接，每m根位线与同一多路选通器电连接。每个比较器与一个多路选通器电连接。
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公开(公告)号：CN116935919A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210355106.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 本申请提供了一种铁电存储阵列、铁电存储器以及其操作方法，用于减少SL数量，从而节省了版图面积和LBL上的寄生电容。该铁电存储阵列包括1T1C结构和gain cell；gain cell包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，1T1C结构包括第四晶体管和第一电容；第四晶体管的栅极与字线相连，其源漏极的第一端与第一电容的第一端相连，另一端通过区域位线与第三晶体管的栅极以及第一晶体管的源漏极的第三端相连，第一电容的第二端与板线相连；第一晶体管和第二晶体管的栅级与控制线相连，第一晶体管的源漏极的第四端和第二晶体管的源漏极的第五端通过全局位线相连，第二晶体管的源漏极的第六端与第三晶体管的源漏极的第七端相连，第三晶体管的源漏极的第八端与源线相连。
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公开(公告)号：CN116863978A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210304392.5
申请日：2022-03-26
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备，该控制器用于控制铁电存储阵列，铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元；控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接的PL输入的传输电平小于0时，将第一数据写入目标行中各所述存储单元；控制器还用于在向目标行中各所述存储单元连接的WL输入片选导通电平时，向目标行中各所述存储单元连接的BL和PL输入传输电平，将第二数据写入目标存储单元。采用本申请，可在传输电平较低时向存储单元写入数据，并防止控制器向目标存储单元写入数据时对非目标存储单元存储的数据产生干扰，提高数据存储的存储密度。
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