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公开(公告)号：CN110212862A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910594006.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种室内光伏电池电流-电压测试系统及方法，使用本发明中的室内光伏电池电流-电压测试系统时，根据待测试光伏电池与室内光源之间的距离需求确定样品台的位置并进行固定，利用照度计根据光伏电池与室内光源之间的距离测得光功率；将待测光伏电池安装在3M测试夹上，确保仿室内试验箱形成密闭环境，开始测试；控制器获取数字源表测量的电流、电压和填充因子，结合光功率计算出待测试光伏电池的光电转换效率。通过以上手段可满足对色温范围为1000K-10000K、照度范围为10-200000lux的光辐照下的光伏电池的测量，从而完成对不同室内光条件下的光伏电池的指标标准量化测试。
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公开(公告)号：CN108807574A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810577678.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/042 , H01L31/1804
Abstract: 一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。制备步骤包括制备p型单晶硅片；在p型单晶硅片正面制备多孔硅结构；采用磷快速热扩散方法制备p‑n结；最后制备上、下电极。本发明相较于传统晶硅电池，是将原先的两个步骤倒金字塔表面织构化和沉积减反射层简化为制作多孔硅层一个步骤，可以大幅度降低制作成本，同时多孔硅的宽带隙使得其可以作为窗口层，吸收高能量光子，提高了太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN106898666B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710028336.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法。太阳电池的结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈，形成势垒以降低载流子复合，增强载流子扩散。在太阳电池的迎光面覆有减反射膜，在背光面覆有电极。本发明的(110)体硅太阳电池是一种真正意义上的三维太阳电池，其径向p‑n结结构能够显著提高晶体硅太阳电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426976B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310342034.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底，将多晶体硅薄膜从衬底上分离，可重复利用优质衬底；大大降低了太阳电池制备成本，优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散，衬底与薄膜的不匹配，薄膜中高缺陷密度等缺点，可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力，多晶硅薄膜的质量也将提高。
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公开(公告)号：CN103560172B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310542462.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜太阳电池技术领域的一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法。该方法在异质衬底上，利用磁控溅射同时溅射多晶硅和石墨，制备出掺杂有一定碳的多晶硅薄膜。从而可以改善多晶硅薄膜的导电性。本发明的方法操作简单，便于控制，通过控制沉积薄膜的时间、衬底温度、溅射功率、气体流量、溅射气压等来控制多晶硅中碳含量的改变，从而控制改变多晶硅薄膜的导电性。
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公开(公告)号：CN103428908B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310349665.9
申请日：2013-08-12
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了加热材料制备技术领域的一种硅壳钨芯加热丝及其制备方法。所述加热丝为在钨丝外表面包裹有高纯硅。本发明的制备方法为将钨丝绕制成所需要的形状放入化学气相沉积反应炉中，通过化学气相沉积反应在钨丝表面沉积高纯硅。本发明的加热丝可广泛应用于各类需要加热的真空设备之中，能够长期、稳定、有效地为系统提供热源。
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公开(公告)号：CN104362976A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546505.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/00
Abstract: 本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽，测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列，进而对测量数列进行坏值判断，被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造，不增加光伏发电系统的硬件配置，检测过程不需要对系统线路进行拆解，是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。
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公开(公告)号：CN104157730A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410352977.X
申请日：2014-07-23
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/02444 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。
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