公开(公告)号：CN111597735A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010567007.7

申请日：2020-06-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 关康 ,  曾庆丰 ,  高勇 ,  卢振亚 ,  吴建青 ,  刘建涛 ,  冯志强

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供一种机器学习与CVD建模相结合的组分预测方法，确定反应器的尺寸和基片形状尺寸；建立对应的反应器几何模型；为几何区域和边界添加材料属性；模型网格剖分；选择建立多物理场模型，并进行多物理场耦合；建立流体传热和层流模型；建立浓物质传递模型；计算层流和流体传热耦合的物理场，将得到的解作为初始值计算化学和浓物质传递的物理场接口，得到硼碳体系前驱体气体反应得到的各种中间物质的浓度分布；分别得到不同的结果对比分析，最终得到各种沉积工艺条件下的物质浓度分布结果；利用机器学习算法将沉积硼碳比和其联系起来，预测不同沉积条件下沉积的硼碳比，并分析其误差大小。本发明可准确预测沉积产物组分比。

公开(公告)号：CN105536792B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510893772.7

申请日：2015-11-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  江鸿 ,  卢振亚 ,  钟财富

IPC: B01J23/745 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明公开了一种铁掺杂二氧化钛粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)称取Fe2O3和TiO2放入研钵，再加入碳水化合物，研磨8～10分钟后得到混合物；(2)将按步骤(1)中所得的混合物加热至混合物开始燃烧，燃烧完全后得到粉体；(3)将步骤(2)所得粉体用稀硝酸进行洗涤，去除未反应的Fe2O3，再用去离子水洗涤至中性，放入烘箱烘干，得到产物铁掺杂二氧化钛粉体.本发明的制备温度为250～300℃,步骤简单,得到的铁掺杂二氧化钛粉体，结晶良好，晶相单一。

公开(公告)号：CN108219369A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711287937.1

申请日：2017-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  曾兰英 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: C08L63/00 ,  C08K9/06 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04 ,  C08K3/24 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明属于电介质材料的技术领域，公开了一种复合填充粉体、聚合物基复合介质材料及其制备与应用。所述复合填充粉体是将含有表面氧化的炭黑的二氧化钛溶胶与氢氧化钡溶液进行水热反应得到。聚合物基复合介质材料是将环氧树脂溶液与表面活化复合填充粉体超声搅拌处理得到，所述表面活化复合填充粉体是采用硅烷偶联剂对导电材料/陶瓷复合填充粉体进行改性而成。所述聚合物基复合介质材料用于制备电容器。本发明将炭黑经过氧化处理，与钛酸钡通过化学键复合，复合填充粉体更加稳定，炭黑在复合填充粉体以及复合填充粉体在环氧树脂中具有更优异的分散性，损耗更低。本发明制备的聚合物基复合介质材料具有低损耗和高介电性。

公开(公告)号：CN106159889A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610509027.2

申请日：2016-06-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  胡杰 ,  邓腾飞 ,  李潇

IPC: H02H3/24

CPC classification number: H02H3/24

Abstract: 本发明公开了一种基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路；其第二电容器与第二稳压二极管并联，对应第二稳压二极管阴极的并联端与第二半导体开关元件的控制极或栅极相连，对应第二稳压二极管阳极的并联端与第二半导体开关元件的阴极或源极相连；电压非线性元件与第四电阻器串联后一端与开关的一端连接，另一端与第二半导体开关元件的控制极或栅极相连；第一电阻器的一端与开关的一端相连，另一端与第二半导体开关元件的阳极或漏极相连；本发明实现欠电压检测与控制，省去了运算放大器电路及其所需直流电源，也无需增加抗干扰设计，简化了电路结构，降低了制作成本，缩小了产品体积。

公开(公告)号：CN106026017A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610533869.1

申请日：2016-07-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  王静 ,  邓腾飞 ,  谢畅华

IPC: H02H3/32 ,  H02H3/20 ,  H02H3/24

CPC classification number: H02H3/32 ,  H02H3/207 ,  H02H3/24

Abstract: 本发明公开了一种具有过电压保护和欠电压保护的漏电断路器，其零序电流互感器输出端一端连接在整流桥堆输出端负极，另一端连接第四二极管的正极，第四二极管的负极与第五电阻一端相连，第五电阻的另一端与第一半导体开关元件的控制极或栅极相连；第一导体开关元件的阳极与整流桥堆输出端正极相连，第一半导体开关元件的阴极与整流桥堆输出端负极相连；第二电容器两端分别与第一半导体开关元件的阴极或源极以及控制极或删除相连；第二二极管与第四电阻并联，且对应第二二极管的正极的并联端与第一半导体开关元件的阴极相连。本发明不仅能够在线路发生漏电时断开电源以保护人身安全，还可以在电源电压过压或欠压时断开，避免发生事故。

公开(公告)号：CN104193306B

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410412756.7

申请日：2014-08-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  黄祖映 ,  陈志武

IPC: H01C7/04 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低电阻率高B值负温度系数热敏陶瓷材料，以MnO2、NiO和CuO为主成分，ZnO、Nb2O5、Y2O3、Nd2O3为副成分；主成分中MnO2的含量为65.0～70.4mol％，NiO的含量为16.3～18.3mol％，CuO的含量13.3～16.7mol％；所述ZnO的加入量为主成分的3.3～13.3mol％；Y2O3加入量为主成分的0.3～0.7mol％；Nb2O5的加入量为主成分的0.3～3.3mol％、Nd2O3的加入量为主成分的0.3～1.7mol％。本发明还公开了上述负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法。本发明的负温度系数热敏陶瓷材料具有优越的低阻高B值特性。

公开(公告)号：CN104392871A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410649620.8

申请日：2014-11-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  黄祖映

IPC: H01H83/10 ,  H01H83/14 ,  H01H71/24 ,  H02H3/32

CPC classification number: H01H83/10 ,  H01H71/24 ,  H01H83/14 ,  H02H3/32 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开了带过压保护功能的漏电断路器，包括断路开关和漏电/过压保护部分，漏电/过压保护部分包括过压保护组件、零序电流互感器、电磁继电器、脱扣联动机构、漏电保护触发电路；过压保护组件包括位于包封层内的压敏电阻片和PTC热敏电阻片，压敏电阻片的一面电极与热敏电阻片的一面电极紧密连接在一起，压敏电阻片的另一面电极和热敏电阻片的另一面电极分别焊接引线，形成引出端；电磁继电器通电吸合时，推动脱扣联动机构使断路开关断开；漏电保护触发电路分别与电磁继电器及零序电流互感器相连接；过压保护组件的两个引出端并联在断路开关的负载端。本发明具有过电压保护功能，且安全性与可靠性大大高于现有技术的漏电断路器。

公开(公告)号：CN103311916A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310268448.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 华南理工大学 ,  深圳市劲阳电子有限公司 ,  深圳市固安电子有限公司

Inventor： 卢振亚 ,  王佩艺 ,  沈朝阳 ,  杨凤金

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了防雷过压保护器件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体，形成封装体；所述正温度系数热敏电阻片的一端为第一引出端；正温度系数热敏电阻片的另一端与压敏电阻片的一端连接，形成公共端，所述公共端作为第三引出端；压敏电阻片的另一端作为第二引出端；气体放电管位于封装体之外，气体放电管的两端分别连接第一引出端和第三引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。

公开(公告)号：CN1594217A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410027743.4

申请日：2004-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  陈志武

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/462 ,  C04B35/48 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：第一步，将第三副成分各组分混合，加热至熔融后，采用水冷淬火法制成玻璃碎并用球磨法粉碎至颗粒中粒径D50≤0.6μm即制成玻璃态物料；第二步，主成分、第一副成分混合并加水球磨或搅拌均匀制成料浆，将此料浆干燥成粉料；第三步，将第二步干燥得到的粉料在空气中1100～1250℃煅烧，保温0.5～5小时，加水球磨至颗粒中粒径D50≤0.7μm，干燥后获得主料；第四步，将上述主料、第二副成分、第一步得到的玻璃态物料混合均匀即得到特别适合制作贱金属电极多层片式电容器用介质陶瓷材料；其介电系数高，介电系数温度特性符合EIA标准规定的X7R特性要求，晶粒细小，适合制造介质膜厚度小于8μm的片式电容器。

公开(公告)号：CN118495941A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410407349.0

申请日：2024-04-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  吴子健

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/00 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种厚膜湿敏电阻及其制备方法。本发明将ZnO、Al2O3、B4C与分散剂溶液混合进行球磨，得到陶瓷粉体后，将其与有机溶剂、有机粘合剂、有机分散剂混合并进行研磨，将得到的厚膜印刷浆料在已制备叉指电极的基板上循环进行印刷、烘干多次，排胶后再在氮氧混合气氛中进行烧结，即得厚膜湿敏电阻。由于采用B4C作为烧结助剂，避免了不添加烧结助剂导致的元件阻抗过高，同时降低了烧结温度，采用氮气+空气的气氛进行烧结，避免了空气烧结导致的元件阻抗过高，避免了氮气烧结导致的元件阻抗过低以及湿敏性能丧失。