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    基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法
    31.
    发明公开
    基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114927566A

    公开(公告)日：2022-08-19

    申请号：CN202210153556.9

    申请日：2022-02-18

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  熊年贺 ,  高升

    IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778

    摘要： 本发明公开了基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法。所述电极包括在GaN基HEMT的外延层上表面的两端刻蚀区域从下到上依次排列的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属Ni和第四金属层Cu。所述AlGaN/GaN外延包括从下往上依次层叠的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层。所述金属采用电子束蒸发方式沉积，所述电极的第三金属层Ni通过电子束蒸发倾斜沉积。所述电极的第三金属层Ni沉积在第二金属层Al的表面以及SiO2支撑层的侧壁上。所述电极的第三金属层Ni从底面和侧面包裹住第四金属层Cu。本发明采用Cu代替金属Au作为帽层，同时与低温退火工艺相结合，有利于减少Cu的扩散。相对于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极有助于提高电极的导电性。

    一种增强型电容耦合GaN毫米波开关器件及其制造方法
    32.
    发明公开
    一种增强型电容耦合GaN毫米波开关器件及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113764509A

    公开(公告)日：2021-12-07

    申请号：CN202110824401.9

    申请日：2021-07-21

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  杨红旗 ,  陈竟雄

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L21/331

    摘要： 本发明公开了一种增强型电容耦合GaN毫米波开关器件及其制造方法。所述器件包括外延片、两个P型GaN、两个电极、和钝化层和两个通孔；其中，外延片从下至上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；两个P型GaN分别设置在势垒层上表面两端，在势垒层上呈对称分布；两个电极分别设置在两个P型GaN上；钝化层覆盖裸露在外的势垒层和p型GaN，并连接电极的侧面；通孔设置于电极上方。本发明用P型氮化镓层做电容耦合接触型开关的介质层，一方面可以提高开关的功率容量，一方面可以将开关从常开型转化为常闭性，使开关不会因噪声而造成误开启，提高了开关的可靠性以及稳定性，减少了毫米波开关的功率损耗。

    一种具有П型栅的GaN基射频器件及其制备方法
    35.
    发明公开
    一种具有П型栅的GaN基射频器件及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110600542A

    公开(公告)日：2019-12-20

    申请号：CN201910746051.1

    申请日：2019-08-13

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  刘晓艺 ,  周泉斌

    IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

    摘要： 本发明公开了一种具有П型栅的GaN基射频器件及制备方法，所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层，AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上部为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，AlGaN/GaN异质结外延层上表面连接有源区以外的区域等有一层栅介质层，栅介质层的上表面连接П型栅电极，П型栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明提出的П型栅的两个与AlGaN/GaN异质结外延层直接接触的具有一定间隔的栅脚，在保证栅阻近乎不变的情况下，有效地缩小了栅电极的长度，提高了截止频率。

    具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件及制备方法
    38.
    发明授权
    具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110571267B

    公开(公告)日：2024-09-27

    申请号：CN201910745884.6

    申请日：2019-08-13

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  高升 ,  周泉斌 ,  廖碧艳

    IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

    摘要： 本发明公开了一种具有NiOX保护层的MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极的上表面和AlGaN/GaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为NiOX，第一介质层和第二介质层共同作为钝化层和栅介质层。采用NiOX/SiNX叠层结构同时作为器件的栅介质层与钝化层，利用电子束蒸发设备生长薄膜较PECVD设备减小了沉积损伤问题，改善了器件的表面态，器件的漏电、电流崩塌以及击穿电压性能都得到了优化。

    具备同步整流控制功能的GaN高频LLC谐振变换器
    39.
    发明公开
    具备同步整流控制功能的GaN高频LLC谐振变换器 审中-实审

    公开(公告)号：CN118473206A

    公开(公告)日：2024-08-09

    申请号：CN202410456716.6

    申请日：2024-04-16

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  于浩东

    IPC分类号： H02M3/00 ,  H02M3/335 ,  H02M1/088 ,  H02M1/00

    摘要： 本发明公开了具备同步整流控制功能的GaN高频LLC谐振变换器。本发明采用GaN器件作为开关管和数字控制器，可以实现高达1MHz的开关频率，在高频开关下有效的减小了谐振电感的感量，直接利用变压器的漏感进行谐振，减少元器件数量，有效的降低了成本。本发明提出的同步整流方式配合数字控制器，减少了同步整流对于数字控制器的资源消耗。在开关频率小于谐振频率时，针对宽负载范围都可以有效的调节同步整流管的开启和关断时间，提高LLC谐振变换器的效率。

    一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法
    40.
    发明授权
    一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108695385B

    公开(公告)日：2024-04-05

    申请号：CN201810784434.3

    申请日：2018-07-17

    申请人： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 ,  华南理工大学

    发明人： 王洪 ,  周泉斌

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

    摘要： 本发明公开了一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法。该外延结构从下至上由依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN：Fe/GaN高阻层、GaN超晶格层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层组成；GaN：Fe/GaN高阻层由故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；GaN超晶格层由低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层周期性交替连接组成。本发明外延结构晶体质量高、缓冲层背景载流子浓度低、沟道载流子限域性好、泄漏电流小，制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性，且高温、高频下性能退化小，制造成本低。