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公开(公告)号：CN109796209B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910180223.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法，该制备方法是将TiO2粉体、ZrO2粉体、HfO2粉体、Ta2O5粉体、Nb2O5粉体和B粉均匀混合后在1650~1750℃的条件下热处理1~3h，通过TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5和Nb2O5与B发生硼热还原反应直接合成(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体。本发明方法不仅合成温度低、工艺简单、效率高、生产成本低，而且合成的粉体晶粒细小、成分均匀。这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN108911751B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810703177.6
申请日：2018-06-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种ZrHfTaNbTiC超高温高熵陶瓷材料及其制备方法，该ZrHfTaNbTiC超高温高熵陶瓷材料由Zr、Hf、Ta、Nb、Ti和C元素组成，为单一岩盐相结构。本发明采用热压烧结技术制备了ZrHfTaNbTiC超高温高熵陶瓷材料，制备的ZrHfTaNbTiC超高温高熵陶瓷材料致密度高，组分调控空间大，组织均匀，具有优异的力学性能，陶瓷材料的硬度高达38.52~41.25 GPa。本发明方法制备过程工艺简单，高效快速，合成温度低（1700~1900℃），外加压力小（20~30 MPa），能耗低，安全环保，具有可重复性和可靠性高等突出特点，可应用于工业生产。
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公开(公告)号：CN107602154B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710671398.5
申请日：2017-08-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/573
Abstract: 本发明公开了一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法。本发明珠串状SiC/SiO2异质结构由包括SiC纳米线内芯、包裹在SiC纳米线内芯上的SiO2包覆层，以及排列分布的、与SiO2包覆层及SiC纳米线内芯同轴心的SiO2球组成。本发明合成方法通过球磨、烧结得到SiC‑Si陶瓷复合粉体，再通过进一步烧结，在SiC‑Si陶瓷复合粉体表面原位合成得到所述珠串状SiC/SiO2异质结构。本发明的合成方法工艺简单、稳定，成本低，高效，可实现大规模工业化生产，而且可通过调整制备工艺对珠串状SiC/SiO2异质结构的形貌和尺寸进行控制。
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公开(公告)号：CN110407213A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910644985.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）将Ta粉、Nb粉、Ti粉、V粉、C粉和KCl研磨混合；（2）将混合粉体高温烧结，烧结过程中通入Ar气保护，烧结完成后冷却至室温；（3）经过烧结的混合粉体经去离子水洗涤、过滤和干燥，最终得到所述(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体。本发明所述方法不仅所采用的原料价格低廉、合成温度低、设备要求低，而且合成的(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体晶粒尺寸小（平均晶粒尺寸为80~90 nm）、纯度高且成分均匀，这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN109796209A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910180223.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法，该制备方法是将TiO2粉体、ZrO2粉体、HfO2粉体、Ta2O5粉体、Nb2O5粉体和B粉均匀混合后在1650~1750℃的条件下热处理1~3h，通过TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5和Nb2O5与B发生硼热还原反应直接合成(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体。本发明方法不仅合成温度低、工艺简单、效率高、生产成本低，而且合成的粉体晶粒细小、成分均匀。这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN117105687B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202310953557.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/653
Abstract: 本发明公开了一种多孔高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行硼热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到含多种硼化物固溶体的熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得多孔高熵硼化物陶瓷材料。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间大、压缩强度高、热导率低等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN119390447A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411399817.0
申请日：2024-10-09
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/14 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高熵稀土陶瓷粉体及其快速制备方法和应用。本发明的高熵稀土陶瓷粉体的快速制备方法包括以下步骤：1)将稀土氧化物粉体与HfO2粉体、ZrO2粉体、Ta2O5粉体和SiO2粉体中的一种混合均匀，得到混合粉体；2)将混合粉体进行激光辐射加热，即得高熵稀土陶瓷粉体。本发明的高熵稀土陶瓷粉体具有元素分布均匀、不含杂质相、合成组分空间大等优异特性，且其制备方法具有普适、简单、快速、高效等优点，能够实现高通量筛选材料的目的，适合用在航空航天发动机热端部件上，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118930266A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012994.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C23C4/04
Abstract: 本发明公开了一种抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土硅酸盐陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土硅酸盐陶瓷材料的组成成分的化学式为(HoxErxYb0.5‑xLu0.5‑x)2SiO5，式中，x＝0.05～0.15或0.35～0.45。本发明的抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土硅酸盐陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)制备混合粉体浆料；2)制备高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体；3)制备坯体；4)坯体的烧结。本发明的高熵稀土硅酸盐陶瓷材料具备极佳的抗高温CMAS腐蚀性能，且其制备方法具有设备简易、工艺简单可控、产业化成本低等优点，适合用在航空航天发动机的热端部件上，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117700235A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311454497.X
申请日：2023-11-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/50 , C04B35/622 , B28B3/00
Abstract: 本发明公开了一种高熵稀土硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵稀土硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳化硼粉体混合进行研磨制成混合粉体后压片制成生坯；2)将生坯嵌入石墨毡内部，再置于保护气氛中进行电场烧结制成熟料；3)将熟料研磨成粉后过筛，再取筛下熟料粉体进行压片和冷等静压成型制成熟料坯体；4)将熟料坯体嵌入石墨毡内部，再置于保护气氛中常压下进行电场烧结。本发明的高熵稀土硼化物陶瓷材料具有组分空间巨大、金属元素分布均匀、成分含量接近设计比例、力学性能优异、性能可调控等优点，且其制备工艺简单、反应时间短、设备要求低、制备成本低，有利于进行大规模工业生产。
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