一种(Ta, Nb, Ti, V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110407213B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN201910644985.4

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:(1)将Ta粉、Nb粉、Ti粉、V粉、C粉和KCl研磨混合;(2)将混合粉体高温烧结,烧结过程中通入Ar气保护,烧结完成后冷却至室温;(3)经过烧结的混合粉体经去离子水洗涤、过滤和干燥,最终得到所述(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体。本发明所述方法不仅所采用的原料价格低廉、合成温度低、设备要求低,而且合成的(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体晶粒尺寸小(平均晶粒尺寸为80~90 nm)、纯度高且成分均匀,这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。

    一种高熵碳氮化物陶瓷粉体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113603492A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110842380.3

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种高熵碳氮化物陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵碳氮化物陶瓷粉体由ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2和三聚氰胺烧结而成,其制备方法包括以下步骤:1)将ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2和三聚氰胺混合进行球磨,再进行干燥,得到混合粉体;2)将混合粉体置于保护气氛中进行烧结,即得高熵碳氮化物陶瓷粉体。本发明的高熵碳氮化物陶瓷粉体粒径细小、纯度高、成分均匀,且制备过程简单、原料价格低廉、生产成本低,适合进行大规模生产应用。

    一种(Ta, Nb, Ti, V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110407213A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910644985.4

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:(1)将Ta粉、Nb粉、Ti粉、V粉、C粉和KCl研磨混合;(2)将混合粉体高温烧结,烧结过程中通入Ar气保护,烧结完成后冷却至室温;(3)经过烧结的混合粉体经去离子水洗涤、过滤和干燥,最终得到所述(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体。本发明所述方法不仅所采用的原料价格低廉、合成温度低、设备要求低,而且合成的(Ta,Nb,Ti,V)C高熵碳化物纳米粉体晶粒尺寸小(平均晶粒尺寸为80~90 nm)、纯度高且成分均匀,这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。

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