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公开(公告)号：CN110284121A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910543381.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的Co-Pt/Fe-Pt纳米颗粒的制备方法，属于纳米材料制备领域，利用原子层沉积技术简单的膜厚控制方法，通过改变ALD沉积氧化钴或氧化铁和Pt的循环数，可精确调控材料的组成；并且结合ALD优异的三维贴合性，可在三维结构基体上实现均匀包覆，该制备方法工艺简单，组成精确可控，获得的Co-Pt/Fe-Pt纳米颗粒可用于高密度磁存储、电催化等领域。本发明首先在衬底上沉积氧化钴或氧化铁；再进行铂的ALD沉积；重复沉积氧化锆或氧化铁和铂，获得氧化钴或氧化铁/铂纳米叠层；最后进行退火处理获得组成可调的Fe-Pt或Co-Pt纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN109473644A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811245578.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法，属于锂离子电池材料与纳米制备技术领域，制备的负极材料具有优异的稳定性和完整性。本发明利用ALD技术精确控制厚度的优势，交替生长活性氧化物纳米薄膜和保护层氧化物纳米薄膜，获得活性氧化物/保护层氧化物纳米叠层结构的锂离子电池负极材料，制备的活性材料同时被上下两层保护层所包裹，纳米叠层之间由化学键连接，具有优异的稳定性和完整性。因此，该类纳米结构能够有效缓解电极材料体积膨胀所引起的粉化效应，有效提高电极材料的循环寿命。
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公开(公告)号：CN105244173B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510739934.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40‑50 min，退火温度400~500℃，退火时间30~90 min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。
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公开(公告)号：CN106268903A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610582290.4
申请日：2016-07-22
Applicant: 南京大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004 , B01J37/349
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的表面氮改性二氧化钛纳米颗粒的可见光催化剂的制备方法，首先将二氧化钛粉末转移入ALD反应室，对其表面进行超薄TiN薄膜的沉积包裹，包裹参数为：反应室温度100-500 oC；钛源：四氯化钛、四二甲氨基钛或异丙醇钛；氮源：氨气或者氨气等离子体；载气：钛源使用高纯氮气或者氩气作为载气，流量为50-200 sccm；氮源使用高纯氩气作为载气，流量为50-200 sccm；脉冲和清洗时间：钛源脉冲为0.1-10 s；每次无机源脉冲之后都紧接着用高纯氮气清洗2-60 s；氮源脉冲为5-60s，紧接着用高纯氮气清洗2-60 s，冲掉反应副产物和残留的反应源。该方法简单易行，产品的可见光催化性能显著增强。
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公开(公告)号：CN106206944A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610867902.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L45/08 , B82Y10/00 , C23C16/303 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45525 , H01L45/1616
Abstract: 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公开了忆阻器的制备方法，利用等离子增强原子层沉积首先制备下电极氮化钛；采用采用原子层沉积技术，在下电极氮化钛层上依次沉积生长记忆存储层；采用直流溅射、物理气相沉积或者光刻的方法形成忆阻器的上电极；本发明的忆阻器结构在脉冲电压作用下，表现出优异的模拟神经突触的学习与记忆功能；同时具备多态存储功能和模拟神经突触的能力，制造工艺简单、可靠，而且可以实现高深宽比的台阶覆盖率，便于大规模工业生产制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102517632B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210006512.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102671894A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210159230.3
申请日：2012-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH4)2S溶液中浸泡20－30分钟进行钝化；最后将钝化后的GaAs衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明采用绿色环保的氢溴酸溶液清洗去除GaAs衬底表面氧化物，再用硫化铵溶液钝化衬底表面，有效地提高表面平整性，极大改善栅介质薄膜与GaAs衬底间的界面质量，明显改善了GaAs基MOS器件的电学性能。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102097105B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010567810.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 南京大学
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明公开了一种FePt/CoPt-非磁氧化物磁性复合薄膜的制备方法，首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒，再将颗粒做水溶性处理，制备非磁氧化物前体溶胶，将水溶性FePt/CoPt颗粒和非磁氧化物前体溶胶进行复合，在非磁性衬底上，采用甩胶法或滴注法制备复合薄膜，最后将制备的复合薄膜在650～750℃高温退火，即获得复合薄膜。该方法利用溶胶凝胶成膜工艺与FePt/CoPt纳米颗粒自组装的结合优势，制备出有序的FePt/CoPt纳米颗粒与无机非磁体复合结构薄膜，有效地保证了FePt/CoPt纳米颗粒在高温相变过程中的不发生团聚，以获得具有高矫顽力、可用于磁存储记录的薄膜复合材料。
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公开(公告)号：CN102543751A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110400661.X
申请日：2011-12-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法，1）对Ge衬底进行清洗；2）进行S钝化，3）在Ge衬底表面原位沉积Al2O3薄膜；4）沉积HfO2薄膜；5）放入快速退火炉中退火即得成品。该方法通过原位原子层沉积很薄的氧化铝薄膜，改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，明显改善了栅介质薄膜的电学性能，获得了EOT小于1nm和漏电流密度小于2mA/cm2的Ge基MOS器件。
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公开(公告)号：CN101787522B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010137810.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C16/0281 , C23C16/45525
Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。
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