-
公开(公告)号：CN107068708B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710177991.4
申请日：2017-03-23
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： H01L27/11521 , G06N3/02 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C11/5614 , G11C16/0408 , G11C2213/77 , H01L27/10802 , H01L27/1156 , H01L27/2454 , H01L27/249 , H01L29/42324 , H01L29/7841 , H01L29/788 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 本发明涉及一种浮栅忆阻器，其基本结构依次包括前电极，前介质层，前浮栅层，纳米电池阳极，纳米电池电解质，纳米电池阴极，后浮栅层，后介质层，后电极；其中前电极、前介质层、前浮栅层和纳米电池阳极模拟了突触前膜，利用电子隧穿和场效应将电子信号转化为离子信号，纳米电池电解质作为离子通道模拟了突触间隙，纳米电池阴极、后浮栅、后介质层和后电极模拟了突触后膜，将离子信号转化为电子信号。本发明所述的浮栅忆阻器读写稳定，可控性好，且其结构简单，兼容CMOS，易于集成，可大规模生产和商业化，可促进神经形态计算和类脑计算发展。
-
公开(公告)号：CN109712657A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201810864101.1
申请日：2018-08-01
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李桢赫
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/52 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/08 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 提供可变电阻存储器器件。可变电阻存储器器件包括存储器单元，该存储器单元包括开关器件和与开关器件串联连接的电阻感测元件。可变电阻存储器器件包括在第一方向上延伸并连接到开关器件的栅极的字线。而且，可变电阻存储器器件包括在第二方向上延伸的多个位线。多个位线当中的第一位线的第一连接节点电连接到电阻感测元件。在多个位线当中，与第一位线相邻的第二位线的第二连接节点电连接到开关器件。
-
公开(公告)号：CN108807661A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710863671.4
申请日：2017-09-22
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 陈达
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C13/003 , G11C2213/71 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L23/528 , H01L27/228 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/7851 , H01L29/78696 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/00 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括：多个晶体管以及多个存储单元。各所述晶体管包括栅极结构与源极/漏极区。所述存储单元分别位于所述栅极结构上。各所述存储单元的下电极与其相邻的存储单元的上电极电性连接至所对应的两个晶体管之间的源极/漏极区。
-
公开(公告)号：CN108431979A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201780005073.1
申请日：2017-02-09
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L27/249 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L27/1214 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L29/78642 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： 描述了一种用于改善利用空位调制导电氧化物(VMCO)结构的非易失性存储器性能的系统和方法。VMCO结构可以包括非晶硅层(例如，Si阻挡层)和钛氧化物层(例如，TiO2切换层)。在一些情形下，与空位形成的丝状路径的收缩中的局部切换相反，VMCO结构或VMCO堆叠体可以跨越VMCO结构的区域使用批量切换或切换O离子移动。VMCO结构可以部分地或完全嵌入在存储器阵列的字线层内。
-
公开(公告)号：CN108336224A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810048406.5
申请日：2018-01-18
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/2481 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/00 , H01L27/24 , H01L45/12
摘要： 本发明提供一种可变电阻存储器件，该可变电阻存储器件包括在基板的不同存储区域上的不同的可变电阻图案。不同的可变电阻图案可以在自基板起的不同高度处，并可以具有不同的固有性质。不同的可变电阻图案可以至少部分地包括每个被分别配置为用作非易失性存储单元或随机存取存储单元的单独的存储单元。
-
公开(公告)号：CN104969374B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480006500.4
申请日：2014-01-10
申请人： 爱德斯托科技有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1625 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/165
摘要： 在本发明的一个实施方式中，电阻开关器件(11)包括布置在基板上方并且连接到第一电势节点的第一电极(120)。开关层(130)布置在第一电极(120)上方。导电非晶层(140)布置在开关层(130)上方。第二电极(150)布置在导电非晶层(140)上并且连接到第二电势节点。
-
公开(公告)号：CN107799652A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710785299.X
申请日：2017-09-04
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/249 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1253 , H01L45/16
摘要： 一种半导体器件及其制造方法。具体涉及电阻变化元件，其包括彼此间隔开的第一和第二电极，与第一电极相邻的金属材料层，与金属材料层和第一电极相邻的氧化物层，和连续布置在第二和第一电极之间和在第二电极和氧化物层之间的电阻变化层。电阻变化层由金属氧化物制成。金属材料层由金属或金属化合物制成。氧化物层由形成金属材料层的材料的氧化物制成。第一电极由钌、氧化钌、铱、氧化铱、铂、金或铜制成。形成氧化物层的氧化物的氧化物形成自由能高于形成电阻变化层的氧化物的氧化物形成自由能。
-
公开(公告)号：CN104253140B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201410301245.8
申请日：2014-06-27
申请人： 国际商业机器公司
发明人： A·塞巴斯蒂安 , D·克雷布斯 , E·S·伊莱夫舍利欧
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/16
摘要： 提供了电阻型随机存取存储器单元(10、20、80、90、110)来以多个可编程单元状态存储信息。电绝缘基质(11、21、81、91、111)位于第一电极和第二电极(12、13、92、112、113)之间，以使得在向电极施加写电压时，可以在基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径(14、24、82、114)。可编程单元状态与基质中的传导路径的各配置相对应。电传导组件(15、22、83、94、117、118)在电极之间的方向上延伸并接触绝缘基质。布置为如下：在任何单元状态中，所述组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少约为所述传导路径的电阻，并且至多约为所述绝缘基质的电阻，所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态。
-
公开(公告)号：CN104752456B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410338629.7
申请日：2014-07-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线，这使复位速度增大了约一个数量级。结果，RRAM晶体管的寿命和RRAM器件的耐久性提高了类似的程度。本发明提供用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN104425716B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410340990.3
申请日：2014-07-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L45/08 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
摘要： 本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
517 条记录 (耗时 0.047 秒)