-
公开(公告)号：CN102864427A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210407474.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.6％均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材，掺杂材料质量百分比分别为Al：0.2％，Fe：0.12％，Si：0.05％，Ti：0.02％，Cr：0.01％，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮和氩离子清洗，放入磁控溅射室；(3)制备Nb薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间直流溅射制备薄膜。本发明改进超薄Nb膜超导性能。
-
公开(公告)号：CN101914753A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010259803.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.9％的块状NbTi作为磁控溅射的靶材，纯Nb和纯Ti的质量比是53∶47，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用超声波和丙酮清洗，抛光后放入磁控溅射室；(3)制备NbTi薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备的NbTi薄膜具有良好的超导特性和实用价值，同时加AlN保护层的NbTi薄膜相对未加保护层的NbTi薄膜超导特性有进一步提升。
-
公开(公告)号：CN120065630A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510256897.2
申请日：2025-03-05
Abstract: 本发明提供了一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法，通过控制所述第一光刻胶的旋涂和软烘条件，无需灰度曝光技术也可实现光刻后的梯形剖面；由于所述第一光刻胶和所述第二光刻胶工艺兼容，因此一次曝光和显影可以同时实现图形的精确转移、支撑层或剥离层的形成，工艺操作简单，工艺条件宽松；利用本申请提供的掩模进行金属沉积，可以在保证空气桥桥墩与所述衬底的粘附性的同时，避免拱形支撑层被金属膜全方位覆盖导致无法剥离。
-
公开(公告)号：CN119753605A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411858793.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用，该方法首先绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；然后选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；最后根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜。本发明提出一种普适性的制备高阻超导氮化物薄膜的方法，制备的高阻值超导氮化铌薄膜具有显著高于目前氮化铌薄膜材料的电阻率，为制备高饱和量子效率的SNSPD探测提供有利保障。
-
公开(公告)号：CN117559928A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311570060.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高动态范围亚GHz约瑟夫森参量放大器装置，包括参量放大器装置电路，其包括集总电容电感谐振器、耦合电容器、直流偏置线；集总电容电感谐振器包括集总谐振电容器、集总电感线及铝结环阵列，铝结环阵列镶嵌于集总电感线，集总电感线的末端耦合有直流偏置线；铝结环阵列包括N个串联设置的环路，每个环路中M个串联连接的约瑟夫森大结和一约瑟夫森小结并联；调整环路的数量N、约瑟夫森大结的电感值以及所有约瑟夫森大结与约瑟夫森小结之间的结电感比，在外部磁通量调控下设置铝结环阵列的电感值，进而设置装置的工作频率范围。本装置能够解决亚GHz频段微弱信号的超低噪声放大，能够应用于太赫兹纳米测辐射热计读出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115939262B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
-
公开(公告)号：CN117030014A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311115904.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了太赫兹天线探测单元、谐振探测单元及阵列式探测装置。其中，谐振探测单元包括谐振单元和天线探测单元。其中天线探测单元包括天线、超导量子电容探测器和栅极电容器。超导量子电容探测器包括准粒子库、约瑟夫森结和超导岛。准粒子库以耦合方式耦合连接天线的馈电部，并通过约瑟夫森结连接超导岛，超导岛连接栅极电容器，并经栅极电容器连接谐振单元。谐振单元包括叉指电容和线体之字走位沟组的电感所组成。本发明通过探测超导岛电荷数奇偶状态实现对太赫兹信号的探测，具有极高的灵敏度，能够对极其微弱的太赫兹信号进行探测，甚至能够对太赫兹单光子计数。
-
公开(公告)号：CN111675199B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010417882.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
-
公开(公告)号：CN113193106A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110435556.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24 , H01L39/08 , H01L31/0352 , H01L31/09 , G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器阵列的设计，在基底上生成纳米薄膜，在纳米薄膜上生成第一电极和网格状的第二电极，第二电极包括行列电极和顶层电极，在网格中生成纳米线单元，组成探测器阵列；本发明将三维工艺转化为二维工艺，降低了工艺难度，保持了超大像素，行列电极分次生长，降低了读出电路的难度，行列电极有隔离层，分辨能力强，纳米线的宽度合适，均匀性好，器件性能优，成品率高。
-
公开(公告)号：CN113108902A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110316984.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的可调谐太赫兹探测器，包括第一硅基衬底和第二硅基衬底，所述第一硅基衬底的正面设置天线耦合的六氮五铌薄膜微测热辐射计，背面沉积金层；所述第二硅基衬底背面设置周期排布的口字型超材料阵列，与第一硅基衬底正面相对形成空气腔，通过调节空气腔的长度，实现太赫兹探测器谐振频率的调节。本发明使用超材料，通过仿真设计可以实现特定频率的谐振特性，通过改变空气腔间隔可以调节太赫兹探测器的谐振频率，并且结构简单，制备方便。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.02 seconds)
