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公开(公告)号：CN109639237A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811546145.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，通过获得多结太阳电池中各子电池的电容和总电容；在不同的温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T1；在不同的温度下对多结太阳电池进行不同波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T2......Tn；分别将T1......Tn两两对比可以区分不同子电池中的深能级陷阱，从而实现多结太阳电池各个子电池深能级陷阱的分离。
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公开(公告)号：CN119652316A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411685661.2
申请日：2024-11-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开提供了一种大气中子辐射试验软错误率确定方法、系统、设备及介质，涉及电子器件辐射效应技术领域，包括配置对数模转换电路DAC器件进行大气中子辐射试验的试验参数，试验参数包括至少一类大气中子的能量值、DAC器件参数和测试设备参数；获取DAC器件在试验过程中的数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形；根据数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形，判定DAC器件在试验过程中是否发生单粒子效应并根据单粒子效应的发生次数确定DAC器件的软错误率。本公开通过设置ADC器件，规避模拟信号远距离传输的衰减和畸变，从而更准确的进行软错误率的评估。
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公开(公告)号：CN119438844A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411619652.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开提供了一种识别系统级封装器件辐照敏感模块的试验方法，包括以下步骤，S1、对被测SiP器件开展宽能谱中子辐照试验，获得被测SiP器件内部各模块的单粒子翻转截面σi；S2、利用现实地点的大气中子环境通量，计算出各模块的大气中子单粒子效应软错误率Ri；S3、根据各模块的大气中子单粒子效应软错误率和各模块在SiP器件中的重要性，计算出敏感度Pi；S4、根据获得的敏感度数据评估SiP器件的大气中子辐照可靠性。本发明通过敏感度判断SiP器件的大气中子辐照可靠性，该方法可评估器件的大气中子辐照可靠性，节省进行实地实验所需要的时间，帮助设计人员更高效地对器件进行抗辐照加固。
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公开(公告)号：CN119358199A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411224496.0
申请日：2024-09-03
IPC: G06F30/20 , G21F3/00 , G21F1/10 , G21F1/08 , G16C60/00 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/18
Abstract: 本申请涉及一种热中子屏蔽结构及其制造方法、热中子失效的防护方法。其中，热中子屏蔽结构的制造方法包括：提供半导体器件，所述半导体器件对热中子失效敏感；将所述半导体器件中具有热中子吸收截面的元素设置为目标吸收元素；仿真模拟一具有所述目标吸收元素的热中子屏蔽结构在不同参数下的热中子屏蔽效果，并根据仿真结果确定所述热中子屏蔽结构的防护参数；根据所述防护参数制造所述热中子屏蔽结构。本申请减小或消除了热中子辐射对半导体器件的影响，提高了半导体器件在大气中子辐射环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN117991328A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410214788.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113132521B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110238546.0
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04M1/24
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。
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公开(公告)号：CN117423686A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311239312.3
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/556
Abstract: 本申请涉及一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；根据所述电子器件中阿尔法粒子的来源材料、所述电子器件的有源区，以及所述目标材料，确定所述屏蔽层的目标尺寸参数，以及所述屏蔽层在所述来源材料和所述有源区之间的目标位置；控制器件运维端根据所述目标尺寸参数和所述目标材料，制作所述屏蔽层，并将所述屏蔽层放置于所述目标位置处，以对所述来源材料向所述有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。采用本方法能够更加准确、有效的降低集成电路中出现软错误的概率。
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公开(公告)号：CN112668932B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110052566.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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公开(公告)号：CN115225064A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210586273.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H03K3/356
Abstract: 本发明涉及一种D触发器，包括时钟输入模块，用于接收外部时钟信号，并根据所述外部时钟信号生成延时时钟信号和直通时钟信号，生成第一时钟信号和第二时钟信号；数据输入模块，与所述时钟输入模块连接，用于接收外部数据信号，响应于所述第一时钟信号和所述第二时钟信号，根据所述外部数据信号输出第一数据信号和第二数据信号；置位复位模块，用于接收置位信号和复位信号，根据所述置位信号生成置位控制信号，根据所述复位信号生成复位控制信号；锁存器模块，与所述时钟输入模块、所述数据输入模块、所述置位复位模块连接，用于基于所述置位控制信号、所述复位控制信号对所述外部数据信号进行锁存。采用本申请提供的D触发器可以抗单粒子辐射。
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公开(公告)号：CN114329993A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111666433.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件软错误率评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量‑能量谱；对所述电子器件进行反向分析，确定电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；根据通量‑能量谱以及介质属性信息，确定电子器件在有源区的粒子通量‑有效线性能量转移值谱；获取对电子器件进行辐照试验获得的电子器件的单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱；对粒子通量‑有效线性能量转移值谱和单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱进行运算，确定电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件软错误率的评估精度。
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