公开(公告)号：CN101465399A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810051719.2

申请日：2008-12-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  吕宪义 ,  崔田 ,  何志 ,  邹广田 ,  张彤 ,  吕建楠

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法涉及LED热沉的技术领域。本发明的结构由1为贴片区，2为电极打线区，3为底部焊盘，4为电导通孔，5为反射杯，6为导热柱，7为散热焊盘，9为金刚石膜，10为上陶瓷层，20为下陶瓷层构成；方法是在陶瓷基座的下陶瓷层20上生长CVD金刚石膜或焊接CVD自支撑金刚石膜做LED芯片的热沉系统。本发明涉及的热沉导热性好，降低产品的热阻，使热量尽快散发出去，提高LED的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和延长了产品的寿命。

公开(公告)号：CN1059935C

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN98104978.8

申请日：1998-01-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 赵永年 ,  邹广田 ,  何志 ,  王波

IPC: C23C14/06

Abstract: 本发明的纳米晶立方氮化硼薄膜材料及制备方法属一种薄膜材料及物理气相沉积的制作方法。立方氮化硼膜(3)直接沉积在硅衬底(1)上，中间没有过渡层，平均晶粒尺度为4～10nm。利用镀膜装置，采用射频磁控溅射工艺，严格控制氩气和氮气体积比及总压强，衬底(1)上的偏压在-(400～200)V范围逐段升高，温度控制在400～500℃范围。本发明设备及工艺简单，成本低，立方氮化硼晶粒尺度小，结晶好，整体纯度高，薄膜材料不爆裂，适于实际应用。

公开(公告)号：CN2256886Y

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96204019.3

申请日：1996-02-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 赵永年 ,  何志

IPC: C23C14/32

Abstract: 本实用新型属磁控弧光放电等离子体镀膜装置。主要结构包括电子枪(1)、固体蒸气源(9)、基板(2)，以及用于产生高密度的等离子体区(8)的永磁体(6、7)、灯丝(3)和阴极(4)、阳极(5)。阴极(4)和阳极(5)分别是包围永磁体(6、7)的冷水套表面。本实用新型能使气体充分电离、固体蒸气与气体离子充分接触，从而能有效地反应成膜，有利于反应成膜速度和成膜质量。