公开(公告)号：CN114933480B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210630456.0

申请日：2022-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  窦文皓 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料的制备方法，它涉及一种SiBCN复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiBCN陶瓷材料存在韧性低，应用可靠性低，烧结温度和压力高及现有短碳纤维在基体中分散不均匀、团聚的问题。方法：一、制备短碳纤维预制体；二、制备SiBCN浆料；三、制备多层短碳纤维‑SiBCN坯体；四、热解，得到具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。本发明不需要特殊的复合材料制备技术，制备工艺简单。本发明可获得一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。

公开(公告)号：CN114105646B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202111562121.1

申请日：2021-12-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  彭浩 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1：h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt％Ti粉体，热压烧结。方法2：制备NB21混合粉，加立方硅粉、h‑BN粉和石墨，得SiBCN‑xwt％NB21粉体，热压烧结炉。方法3：TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨，得非晶/纳米晶复合粉体，热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术，制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷；适用于制备纳米晶复相陶瓷。

公开(公告)号：CN112851363A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110085758.X

申请日：2021-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  陈庆庆 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉 ,  高巍

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料包括硅硼碳氮陶瓷和分散在所述硅硼碳氮陶瓷内的氧化石墨烯，所述氧化石墨烯与所述硅硼碳氮陶瓷通过酰化反应形成的化学键连接，且所述氧化石墨烯呈平行排列的层状结构。本发明的氧化石墨烯通过酰化反应改性聚硼硅氮烷，聚硼硅氮烷相当于插层材料分布于相邻氧化石墨烯层之间，增大了相邻氧化石墨烯层之间的间距，破坏了氧化石墨烯层间的范德华力，并且氧化石墨烯键合在聚硼硅氮烷上，防止了氧化石墨烯滑移导致的分散不均匀问题，提高了氧化石墨烯在复合材料中分布的均匀性。

公开(公告)号：CN111689778A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010611802.1

申请日：2020-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  朱启帅 ,  梁斌 ,  贾德昌 ,  李达鑫 ,  蔡德龙 ,  段小明 ,  何培刚 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645

Abstract: 一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化-热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低，尺寸小，生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法：称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉，并放入球磨罐中球磨，然后热压预烧结，最后封入包套进行热等静压，即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。