陶瓷基复合材料的成型方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118829621A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202380028467.4

    申请日:2023-01-27

    摘要: 本发明提供一种陶瓷基复合材料的成型方法,使得含浸熔融硅而成型陶瓷基复合材料,所述陶瓷基复合材料的成型方法执行如下步骤:使增强纤维与含浸所述熔融硅的基体成为一体的预浸料层叠并固化以形成层叠固化体;使所形成的所述层叠固化体碳化以在所述层叠固化体中形成含浸路径;及使形成有所述含浸路径的所述层叠固化体含浸所述熔融硅,所述基体中包含的母材树脂至少包含苯并噁嗪树脂。

    一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118420348A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410669281.3

    申请日:2024-05-28

    摘要: 本发明涉及一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。该制备方法包括:制备SiC纤维编织体;采用化学气相沉积法在SiC纤维编织体表面沉积界面层;将SiC粉体、烧结助剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和溶剂混合制备SiC浸渍浆料;将沉积界面层的SiC纤维编织体浸入SiC浸渍浆料中浸渍取出,经干燥、热轧得到SiC预浸片;将SiC预浸片裁剪,经叠层、低温压力辅助烧结,得到SiCf/SiC预制体;将SiCf/SiC预制体浸入SiC先驱体溶液中浸渍;将浸渍后的SiCf/SiC预制体进行高温固化和裂解;重复浸渍‑固化‑裂解步骤,直到SiCf/SiC复合材料增重小于1%为止,得到SiCf/SiC陶瓷基复合材料。

    一种MAX相陶瓷颗粒改性SiCf/SiC复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116239384B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202211092893.8

    申请日:2023-02-20

    摘要: 本发明公开了一种MAX相陶瓷颗粒改性SiCf/SiC复合材料及其制备方法,通过球磨预处理MAX相(Ti3SiC2或Ti3AlC2)陶瓷粉末,在SiC纤维预制体表面沉积热解碳层和SiC层,使用预处理后的陶瓷粉末、二甲苯和聚碳硅烷制备浆料浸渍液,在加压条件下对纤维预制体进行浸渍,高温裂解后制备得到高性能的基体改性SiCf/SiC复合材料。本方法提高了改性颗粒在预制体内的渗透能力,解决了复杂编织结构的颗粒难渗入问题,提高了基体致密化效率与质量,通过改性颗粒质量分数优化,实现改性颗粒弥散分布,改善了复合材料力学性能,制备得到强度和韧性协同提高的基体改性陶瓷基复合材料,具备流程简单、工艺周期短、无杂质相等优点。

    一种低折射率的复合粉末的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117886607A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311816648.1

    申请日:2023-12-26

    申请人: 季华实验室

    摘要: 本发明公开一种低折射率的复合粉末的制备方法及其应用。所述低折射率的复合粉末的制备方法包括以下步骤:将亚微米粉体与含正硅酸乙酯的混合物混合、加热,在酸性条件下发生反应,得第一溶胶浆料;将所述第一浆料与粘结剂混合搅拌,得第二浆料;将所述第二浆料进行喷雾造粒、煅烧,得低折射率的核壳结构复合粉末,本申请的技术方案可以将高折射率或者高吸光度的此类亚微米粉体,不利于或者不能用于3D打印的粉体材料,通过含正硅酸乙酯的混合物反应形成的二氧化硅纳米粒子,覆盖在亚微米粉体表面,降低其折射率或者吸光度,使得难固化或者无法固化的陶瓷粉体材料与光敏树脂之间的折射率差值降低,提高了此类陶瓷材料的固化性能。