一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN108168730B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201810241597.7

    申请日:2018-03-22

    IPC分类号: G01K11/32

    摘要: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法,本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题,方法:(1)制备测温样品;(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温,在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温;本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度,本发明应用于稀土荧光测温领域。

    基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法

    公开(公告)号:CN108061608B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201810091505.1

    申请日:2018-01-30

    IPC分类号: G01K11/00

    摘要: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法,本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN108168730A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201810241597.7

    申请日:2018-03-22

    IPC分类号: G01K11/32

    摘要: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法,本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题,方法:(1)制备测温样品;(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温,在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温;本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度,本发明应用于稀土荧光测温领域。

    基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法

    公开(公告)号:CN108061608A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201810091505.1

    申请日:2018-01-30

    IPC分类号: G01K11/00

    CPC分类号: G01K11/006

    摘要: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法,本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种光动力治疗光敏剂单态氧量子产率测量方法及装置

    公开(公告)号:CN107589073A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710773584.X

    申请日:2017-08-31

    IPC分类号: G01N21/01 G01N21/39

    摘要: 本发明公开了一种光动力治疗光敏剂单态氧量子产率测量方法及装置,所述装置主要包括激光光源、氘灯、第一移动挡板、第二移动挡板、平面反射镜、凸透镜、光谱仪及PC机;其中第一移动挡板设于所述激光光源与平面反射镜之间,可用于遮挡所述激光光源,第二移动挡板设于所述氘灯后,可用于遮挡氘灯光源;所述平面反射镜用于将激光光源反射至比色皿中,所述凸透镜用于将氘灯发射的发散光转成平行光照射至比色皿中,所述氘灯照射比色皿后的透射光通过光纤传导至光谱仪中,所述光谱仪将测量数据传输给PC机。采用本发明的光敏剂单态氧量子产率测量方法及装置具有信噪比高、测定准确度高、测量效率高和自动化水平高等优点。

    一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法

    公开(公告)号:CN105466592B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201510801636.0

    申请日:2015-11-19

    IPC分类号: G01K11/00

    摘要: 一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法,本发明涉及一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法。本发明是要解决现有测温技术测温结果不准确的问题,方法为:激发源发出的激发光经过凸透镜汇聚照射到感温材料上,感温材料所发射的下转换荧光通过凸透镜汇聚入射到光谱仪中,光谱仪连接存储示波器和计算机进行数据处理,给出修正曲线,即完成。本发明的修正方法消除了现有下转换荧光强度比与玻尔兹曼分布律的偏差,在保持了荧光强度比方法抗干扰能力强、稳定性好、灵敏度高的优点的同时,提高了其测温的准确度。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法

    公开(公告)号:CN105466592A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510801636.0

    申请日:2015-11-19

    IPC分类号: G01K11/00

    CPC分类号: G01K11/00

    摘要: 一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法,本发明涉及一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法。本发明是要解决现有测温技术测温结果不准确的问题,方法为:激发源发出的激发光经过凸透镜汇聚照射到感温材料上,感温材料所发射的下转换荧光通过凸透镜汇聚入射到光谱仪中,光谱仪连接存储示波器和计算机进行数据处理,给出修正曲线,即完成。本发明的修正方法消除了现有下转换荧光强度比与玻尔兹曼分布律的偏差,在保持了荧光强度比方法抗干扰能力强、稳定性好、灵敏度高的优点的同时,提高了其测温的准确度。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置

    公开(公告)号:CN105300889A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510762225.5

    申请日:2015-11-10

    IPC分类号: G01N21/17 G01N21/31 G01N21/03

    摘要: 采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置,属于光声光谱技术和漫反射积分腔应用技术领域。本发明是为了解决光声光谱技术在对气体进行检测时,传统光声池光能的利用率较低的问题。本发明所述的采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置,在继承传统光声光谱技术优势的基础上,将生产工艺简单、价格低廉的高漫反射长方腔应用于光声光谱痕量气体探测中,通过延长光程,从而提高了气体测量的灵敏度,提高了光能的利用率,进而降低了气体浓度测量系统的成本,并具有响应速度快、稳定性好、维护简单、可实时监测等优点。本发明可对低浓度气体进行实时监测。

    一种光谱范围可调节的连续宽带短波光源

    公开(公告)号:CN103868590A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410133765.2

    申请日:2014-04-03

    IPC分类号: G01J3/10

    摘要: 一种光谱范围可调节的连续宽带短波光源,属于激发光源领域。适应了对连续可调的短波光源的需求,本发明的氘灯发射的光束入射至一号凸透镜,经一号凸透镜后的平行光入射至一号棱镜,经一号棱镜色散后的分散光束入射至二号凸透镜,经二号凸透镜聚焦后的光束经一号挡板和二号挡板之间的缝隙入射至三号凸透镜,所述一号挡板和二号挡板位于同一竖直平面,且一号挡板和二号挡板之间的缝隙可调节,经三号凸透镜后的平行光束入射至二号棱镜,经二号棱镜色散后的分散光束入射至四号凸透镜,经四号凸透镜聚焦后输出光束。本发明适用于作为光源。