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公开(公告)号：CN111376169A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627102.0
申请日：2018-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用第一清洗液对抛光后的所述晶圆进行继续抛光；(2)使用第二清洗液对抛光清洗后的所述晶圆步骤(1)抛光清洗后的晶圆冲洗至少一次。本发明使用抛光清洗方法，对于氧化铈抛光后的晶圆，可以有效去除晶圆表面残留的氧化铈颗粒，从而减少了晶圆表面的颗粒缺陷，极大地提高了清洗效果；同时，减少了清洗液的使用量，并且使用去离子水作为清洗液，从而大大减少了清洗成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109251675A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710569910.5
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。
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公开(公告)号：CN109251674A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710569909.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/31051
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。
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公开(公告)号：CN116410666A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111654878.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种合成氧化铈的方法，包括：S1：配置铈源水溶液，并向所述铈源水溶液中掺杂稀土元素；S2：配置沉淀剂水溶液，在反应釜中将所述铈源水溶液添加至所述沉淀剂水溶液中，制得混合溶液；S3：晶化反应：充分搅拌所述混合溶液，密闭所述反应釜进行高温晶化反应；所述S1‑S3中涉及原料均经惰性气体曝气处理，所述S1‑S3均在惰性气体保护氛围中完成。本发明合成氧化铈的方法最终得到的氧化铈颗粒粒径均匀，能够有效降低对硅晶圆表面的划伤，具有广泛的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN109251671A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710569718.6
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液，包括溶胶型氧化铈、含羟基的非离子型表面活性剂以及pH调节剂。本发明采用溶胶型氧化铈研磨颗粒与含有羟基的非离子型表面活性剂配合使用的技术方案，在一定pH条件下，实现在几乎不降低氧化硅的抛光速率的条件下，提高氧化硅对多晶硅的选择比。
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