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公开(公告)号：CN109622245A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811557071.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: B04B5/0442 , B04B9/00 , B04B2005/045
Abstract: 本发明提供了一种便携式血液分离仪，包括驱动部件和离心箱体及分离管道。压电马达做驱动部件，离心箱体内的旋转沟槽设计为圆柱体或者圆台，对应的分离管道呈圆形宽管道，方便血液成分在离心之后的沉积分布。离心宽管道的终端设计有几个由阀门控制的独立的分离管道，便于精确分离。本发明最终解决了现行血细胞分离机体积庞大，运行时间长，噪声大，效率低等问题，有利于医疗仪器和医疗器械领域的发展，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN115894301B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211308356.2
申请日：2022-10-25
Applicant: 武汉大学中南医院
IPC: C07C271/02 , C07C269/06 , A61K49/10
Abstract: 本发明公开了一种二聚化钆基T1磁共振对比造影剂及其制备方法和用途。本发明的二聚化钆基T1磁共振对比造影剂的分子结构通式含有一个不同烷基链长(n＝2～20)的连接体，二乙烯三胺五乙酸(DTPA)配体，三价钆离子(Gd3+)。其中，两个DTPA分子由连接体通过共价键相连，Gd3+通过金属配位作用与DTPA螯合形成二聚化Gd‑DTPA。本发明的二聚化钆基T1磁共振对比造影剂，其结构中烷基链越长T1弛豫率越高，且T1磁共振对比成像效果优于临床用Gd‑DTPA，有望作为可替代的新型磁共振对比造影剂在临床上应用。
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公开(公告)号：CN111010127B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911333656.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括基底、空腔和压电堆叠结构；压电堆叠结构从下而上依次为底电极、压电材料层和顶电极；压电材料层由压电材料有效区域、压电材料外部区域、锚组成；压电材料有效区域小于空腔面积。压电材料有效区域边缘与空气接触，通过锚与压电材料外部区域连接。压电材料有效区域通过锚的支撑悬浮在空腔上方，谐振时在压电材料有效区域内部横向传播的声波在边缘被空气反射，另外谐振时只有锚束缚压电堆叠结构工作区域的振动，压电堆叠结构能够更加自由的振动，减小杂波影响的同时产生更强的电信号，从而提高薄膜体声波谐振器性能。
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公开(公告)号：CN112350683A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011305961.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种类石墨烯结构的超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器结构，该谐振器在压电材料上表面部布置有类石墨烯结构分布的正负电极，每个电极被三个相异极性的电极环绕，进而形成三个方向的电场分布。该谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN112039478A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010867930.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器，包括压电层和设置于所述压电层表面的电极阵列，所述电极阵列中包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块的尺寸大于第二电极块。本发明使谐振器的有效机电耦合系数以及品质因子均得到了很大的提高，进而提高了FOM值。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108917991B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109489843A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811270252.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。
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公开(公告)号：CN108964629A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810725684.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H2009/02196
Abstract: 本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。
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公开(公告)号：CN108917991A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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