一种电力电子变换器拓扑及其调压方法

    公开(公告)号:CN116526885A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310108399.4

    申请日:2023-01-20

    摘要: 本发明属于直流输电系统技术领域,特别涉及一种电力电子变换器拓扑及其调压方法,其中调压方法包括根据开关电容阀的输出电压|Um|和外部控制要求的电力电子变换器交流侧输出电压确定调压系数;根据调压系数和开关电容阀的输出电压|Um|,确定PWM调制波;通过PWM调制波对开关阀任意一相桥臂进行高频斩波,另一相桥臂进行低频切换;本发明的调压方法可实现电力电子变换器拓扑暂态调压应用时的宽范围调压,例如低电压穿越应用,并且调压范围较奇次谐波注入法的18%提高到了100%;本发明的拓扑可以实现全控器件数量和模块电容数量的大幅降低,从而带来成本和体积的大幅优化。

    功率半导体器件及其制作方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116504824A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762804.4

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法,所述功率半导体器件包括阳极区、阴极区、第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层,所述第二材料层与所述阴极区贴合,所述第三材料层与所述阳极区贴合;所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层在水平方面上依次分为有源区、过渡区和电场畸变区;所述电场畸变区形成有第一低寿命区,所述第二材料层形成有第二低寿命区,所述第三材料层形成有第三低寿命区。本申请通过设置三个低寿命区优化边缘终端区的电场分布。

    一种耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件

    公开(公告)号:CN116504723A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762805.9

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供了一种耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件,该耐压终端结构包括:薄二氧化硅层,设置在功率半导体器件的表面,并覆盖功率半导体器件的预设保护区;掺氧半绝缘多晶硅层,设置在薄二氧化硅层上,掺氧半绝缘多晶硅层的宽度小于或等于薄二氧化硅层的宽度;氮化硅层,完全覆盖掺氧半绝缘多晶硅层和薄二氧化硅层;聚酰亚胺层,完全覆盖氮化硅层。所述钝化方法用于形成所述耐压终端结构。本申请提供的耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件,能够减小漏流,阻挡外来水汽、碱金属离子等杂质入侵,防止化学腐蚀,实现机械缓冲保护,提高半导体器件的耐压能力。

    半导体器件局部金属电极去除装置及方法

    公开(公告)号:CN116504684A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762808.2

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法,该装置包括:承片台,承载半导体器件移动至各缺陷标记位置;导电毛刷,固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触;第一探针,与半导体器件的缺陷电极接触;直流电源阳极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于电解滴加电解液后的缺陷电极;电压检测模块正极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于检测第一探针与导电毛刷间的电压,并根据电压控制直流电源的关闭。该方法基于该设备实现。本申请提供的半导体器件局部金属电极去除装置及方法,解决了现有技术无法自动检测和去除缺陷电极的问题,提高了缺陷电极去除精度,降低了操作难度,提高了半导体器件的良率。

    一种适用于可关断换流器的MOV
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116488122A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310444364.8

    申请日:2023-04-24

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02H9/04 H02J3/36

    摘要: 本发明提供了一种适用于可关断换流器的MOV,其中,所述MOV包括串联的金属氧化物压敏电阻MOV本体以及保护装置,其中,所述MOV本体,用于实现可关断换流器中的可关断器件的过电压保护和关断能量吸收;所述保护装置,用于实现对MOV本体的过能量保护。本发明通过对MOV本体和串联的保护装置进行合理的参数设计,可同时实现对可关断器件的过电压保护和对MOV本体的过能量保护。

    基于混合换流器的海上风电低频送出系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN116454955A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310437464.8

    申请日:2023-04-21

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02J3/34 H02J3/38

    摘要: 本发明公开了基于混合换流器的海上风电低频送出系统及其控制方法,该系统的海上风电场的交流侧通过海上升压站和所述低频交流电缆连接至陆上交流母线;陆上低频侧二极管整流器的交流侧通过低频侧整流变压器和第一交流开关连接至陆上交流母线;陆上低频侧直流电压可变型辅助MMC的交流侧通过低频侧辅助连接变压器和第二交流开关连接至陆上交流母线;陆上工频侧直流电压可变型换流器的交流侧通过第三交流开关与交流电网连接。本发明可以减少海上风电低频送出系统的电力电子器件数目,降低储能需求;可以为海上低频系统提供并网电压,实现黑启动,并补偿其无功功率和谐波电流,保证电能质量,还能实现陆上换流器内部功率分配,优化系统运行效率。

    压接型半导体器件
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116364661A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310645836.6

    申请日:2023-06-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01L23/04 H01L23/367

    摘要: 本申请提供一种压接型半导体器件,可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括:芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳;所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片,所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接;和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片,所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件,能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层,大幅降低了封装结构的接触热阻,从而降低器件整体的结壳热阻。

    串联型混合海上风电直流输电系统及启动方法、装置

    公开(公告)号:CN116316821A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310143082.4

    申请日:2023-02-14

    申请人: 清华大学

    摘要: 本公开涉及风力发电和直流输电技术领域,尤其涉及一种串联型混合海上风电直流输电系统及启动方法、装置。其中,该串联型混合海上风电直流输电系统,包括:海上风电场、海上二极管整流器、海上整流变压器、海上直流电压可变型辅助换流器、辅助连接变压器、岸上直流电压可变型换流器、岸上直流电压恒定型换流器、耗能电阻、限流电阻、直流侧二极管、第一直流刀闸、第二直流刀闸、第三直流刀闸、第一交流开关、第二交流开关、第三交流开关、第四交流开关、第五交流开关、第一直流电缆和第二直流电缆。采用本公开可以降低串联型混合海上风电直流输电系统的成本和体积。