公开(公告)号：CN113811994A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034788.1

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。

公开(公告)号：CN113643983A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110290683.9

申请日：2021-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  类维生 ,  J·L·富兰克林 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  G·帕克 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/495 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。

公开(公告)号：CN108140546A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057046.4

申请日：2016-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗曼·古科 ,  陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  简·德尔马斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B7/0021 ,  B08B7/0035 ,  F26B5/04 ,  F26B21/14 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67034

Abstract: 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。