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公开(公告)号：CN115835936A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180048402.7
申请日：2021-06-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: B23K26/359
Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。
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公开(公告)号：CN112313066A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042110.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 类维生 , 马亨德兰·奇丹巴拉姆 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 卡西夫·马克苏德
IPC: B29C64/264 , G02B26/10 , B29C64/236 , B29C64/205 , B29C64/393 , B29C64/153 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y10/00
Abstract: 一种增材制造设备包括：平台；分配器，所述分配器被配置为将多个连续的馈给材料层输送到所述平台上；至少一个光源，所述至少一个光源被配置为生成第一光束和第二光束；多面镜扫描仪；致动器；和振镜扫描仪。所述多面镜扫描仪被配置为接收所述第一光束并将所述第一光束朝向所述平台反射。所述第一多面镜的旋转引起所述光束在第一方向上沿着所述平台上的馈给材料层上的某一路径移动。所述致动器被配置为引起所述路径沿着相对于所述第一方向呈非零角度的第二方向移动。所述振镜扫描仪系统被配置为接收第二光束并将所述第二光束朝向所述平台反射。
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公开(公告)号：CN103650115B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280033999.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67069 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。
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公开(公告)号：CN103608900A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028768.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/30655 , H01L21/3086 , H01L21/67207
Abstract: 藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。
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公开(公告)号：CN108766936B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810568682.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/308 , H01L21/67 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/40
Abstract: 本发明涉及使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割。本文描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖并保护所述集成电路的层所组成。以使用多重脉冲串的脉冲列激光雕绘工艺图案化所述掩模，以提供具有间隔的图案化掩模。所述图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化掩模中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割所述集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780778B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780019350.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。
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公开(公告)号：CN111526978A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880084660.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 类维生 , 卡西夫·马克苏德 , 戴维·马萨尤基·石川
IPC: B29C64/264 , B29C64/205 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y10/00
Abstract: 增材制造装置包括：平台；配置为将多个连续的进料材料层输送到平台上的分配器；用于产生第一光束和第二光束的光源组件；光束组合器，被配置为将第一光束和第二光束组合成公共光束；和镜面扫描仪，配置为将公共光束引导朝向平台，以沿着最外层的进料材料上的扫描路径输送能量。
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公开(公告)号：CN108780778A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019350.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: B23K26/064 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/355 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K2101/40 , B23K2101/42 , H01L21/78
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。
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公开(公告)号：CN108701651A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014005.1
申请日：2017-01-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/268 , H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L23/544 , A47G19/22 , A47G19/2272 , B23K10/003 , B23K26/0624 , B65D47/244 , B65D47/32 , H01L21/78 , H01L2223/5446
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法，各晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法包括：在半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的层构成。接着利用分裂激光束激光划线工艺(如分裂形状的激光束激光划线工艺)图案化该掩模，以提供具有缝隙的图案化掩模，暴露集成电路之间的半导体晶片区域。接着通过图案化掩模中的缝隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻以将集成电路切单。
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