二次电池
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1326268C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN02825080.X

    申请日:2002-10-18

    CPC classification number: H01M4/60 H01M4/137 H01M4/602 H01M4/606 H01M10/052

    Abstract: 本发明提供一种能量密度高、容量高、充放电循环的稳定性、安全性优良的二次电池。该二次电池是至少以正极、负极、电解质作为构成要素的二次电池,其中,正极和负极中的至少一方的活性物质中,含有从以式(1)或式(3)等表示的自由基化合物中选出的至少一种化合物。(式(1)中,X1和X2各自独立地表示以式(3)表示的基团、烷氧基、卤素原子、羟基或氰基,R1~R8各自独立地表示氢原子或烷基)(式(3)中,R10表示烷基或者取代或未取代的苯基)

    负极活性物质、其制备方法和锂二次电池

    公开(公告)号:CN104781959B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201380058984.2

    申请日:2013-10-28

    Abstract: 本发明涉及一种负极活性物质,其作为锂二次电池用负极活性物质在性能方面是优异的,其包含当对进行至少一次充电后的硅氧化物进行硅的固态NMR(29Si‑DDMAS)测定时满足以下式1和式2的硅氧化物;(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,其中S1为归属于具有Si‑Si键且具有在0ppm~‑15ppm、‑55ppm、‑84ppm和‑88ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S2为归属于具有Si(OH)4‑n(OSi)n(n=3,4)结构且具有在‑100ppm和‑120ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S3为归属于具有Si(OLi)4‑n(OSi)n(n=0,1,2,3)结构且具有在‑66ppm、‑74ppm、‑85ppm和‑96ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和。

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